钽铁、铌铁精矿中硅量的测定

钽铁、铌铁精矿中硅含量的测量分为5%以下使用硅钼蓝分光光度法;5%~20%使用重量法和硅钼蓝分光光度法相结合的方法。本实验分别从条件试验、干扰试验、回收试验、精密度试验、方法对比试验等方面对试验结果进行考察。试验结果表明,该法精密度和准确度均好,适用于钽铁、铌铁精矿中0.50%~20.00%硅的测定。     

电感耦合等离子质谱法测定离子型稀土原矿中离子相稀土总量

采用电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)直接测定离子型稀土原矿中离子相稀土总量,实验对浸取溶液、浸取溶液的浓度及用量、被测元素的同位素、样品酸度、内标元素、仪器的最佳工作参数进行了选择,建立了优化分析条件.单一元素标准加入的回收率为95%~105%,离子相稀土总量回收率为98.4%,相对标准偏差小于5%,测定范围为:0.010%~0.50%.方法准确可靠,操作简单,精密度和准确度都能满足分析要求.     

冲击载荷作用下岩石破碎数值模拟及试验研究

运用数值模拟方法研究了冲击载荷作用下的岩石微观结构特性变化,通过对岩石内部应力分布及裂纹分布图可以得出冲击载荷破岩时岩石内部在垂直方向产生一个拉应力区和一个压应力区,刀具下方的拉应力最大;中间裂纹扩展速度比径向和侧向裂纹都要快,裂纹面呈三角形状。在多功能试验装置上对花岗岩进行冲击载荷破岩试验,试验结果表明:单纯提高冲击载荷对破岩效果不会有很大的提高,存在一个最佳破岩冲击能(63J)。     

动静组合载荷作用下岩石破碎损伤断裂力学分析

分析了动静组合载荷破岩的载荷－侵深特征曲线,确定组合载荷合理的加载点是在岩石已发生体积破碎、岩屑已崩出、压实体又得到充分压实之后。对岩石在动静组合载荷作用下破碎进行了损伤断裂力学分析,得到在一定范围内加大静压力和冲击力可以使破碎坑体积很快增加,从而提高破岩效率;在预加静载荷使岩石发生体积破碎之后再施加冲击载荷,此时岩石破碎效果最好的结论。     

动静组合载荷作用下岩石破碎损伤断裂力学分析水

分析了动静组合载荷破岩的载荷-侵深特征曲线,确定组合载荷合理的加载点是在岩石已发生体积破碎、岩屑已崩出、压实体又得到充分压实之后.对岩石在动静组合载荷作用下破碎进行了损伤断裂力学分析,得到在一定范围内加大静压力和冲击力可以使破碎坑体积很快增加,从而提高破岩效率;在预加静载荷使岩石发生体积破碎之后再施加冲击载荷,此时岩石破碎效果最好的结论.     

动静组合载荷作用下岩石破碎数值模拟及试验研究

运用 ANSYS 软件对花岗岩 在单一静载、动载和动静组合载荷作用下的破坏过程进行了数值模拟分析。结果表明：静载破岩时岩石中的裂纹扩展范围比冲击破岩时广,形成的破碎角大;冲击载荷破岩时岩石中的裂纹扩展速度比静载时快,形成的破碎角较小;动静组合载荷破岩时破碎深度和裂纹扩展面积比单一静载或动载时均大,破岩效果优于单一加载模式。在多功能岩石破碎试验装置上对花岗岩分别进行了单一静载、冲击载荷和动静组合载荷破岩试验,进一步表明动静组合载荷破岩在破碎深度、破碎体积和破岩比能方面比静力压入或单一冲击具有明显的优势,能大幅度提高破岩效果。不同的动静组合载荷存在不同的破岩比能,合理选取动静载荷的比值,可使破岩比能最小,破碎效果达到最优。     

茶山矿南矿段通风系统改造研究

为解决茶山矿南矿段自然通风系统通风能力不足、井下通风困难等现状,详细分析了通风系统存在的问题,通过现场实测数据论述了通风系统改造的必要性,并结合矿井的实际情况和生产计划的具体要求提出了针对性的改造方案。改造完成后,对通风系统的实际效果进行测定,结果表明:改造后的矿井通风系统已符合有关规程的规定,井下温度已全部降到28℃以下,矿井有效风量率达到90.98%,工作环境得到大大改善,保障了矿井的安全高效生产。     

动静载荷耦合作用下PDC刀具的失效机理

运用应力波理论分析了冲击-静压切削模式下PDC刀具的破损机理，得出了冲击应力波的幅值、入射角（刀具侵入角）、刀-岩接触间隙，以及在接触面上的多次透、反射造成加载-卸载-再加载的循环，对破岩效果和PDC刀具破坏有很大影响.在自行研制的动静态多功能岩石破碎试验台上，以砂浆块和花岗岩为试验对象进行了冲击-静压切削破岩试验.结果表明：在硬岩破碎中，PDC刀具的破坏模式主要是轴向崩裂、冲击压碎和径向崩裂3种；施加一定的静压可使刃面与岩面充分接触，有利于应力波的传播，从而提高破岩效果和PDC刀具的使用寿命.     

计算机辅助霍尔测量系统

霍尔测量是研究半导体材料性质的重要实验方法 ,文中设计、建立了一套计算机辅助测量系统 ,它能自动采集和处理数据。文中论述了该系统的组织构造、工作原理和软件实现。     

Fabrication of Enhancement Mode GaN Metal-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor

Recently,a numberofpapers on Ga N-based field-effecttransistors(FETs) have beenreported.The metal-insulator-semiconductor technology is widely adopted in manyapplications since it can provide the high DC input impedance,large gate voltage swings,norm...