氮化镓干法刻蚀研究进展

对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点.回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展.以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形貌.在优化后的刻蚀工艺条件下GaN材料刻蚀速率达到340nm/min,侧墙倾斜度大于80°且刻蚀表面均方根粗糙度小于3nm.对引起干法刻蚀损伤的因素进行了讨论,并介绍了几种减小刻蚀损伤的方法.     

惠州港荃湾港区煤码头中央控制系统设计与实现

惠州荃湾港煤码头是按照"国内一流,国际先进"的高标准进行设计及建设,是自动化水平要求很高的专业性码头,配备了世界一流的煤炭装修设备及输送系统,所有设备均采用国际先进的控制系统设备,自动化程度高,作业效率高,也是国内少有的设计施工总承包的大型煤炭装卸港口项目。本文从中央控制系统着眼,针对整个控制系统的软硬件方面详细地阐述了如何符合工艺控制系统的作业要求,对设计过程中遇到的重难点亦进行了分析。     

不饱和聚酯树脂室温固化体系研究进展

概述了不饱和聚酯树脂室温固化用氧化还原引发体系中引发剂、促进剂的种类和特点,并介绍了近年来不饱和聚酯树脂室温固化体系及其反应动力学的研究进展,旨在使人们对室温固化体系及其应用有一定的认识和了解。     

枸杞杆制活性炭对亚甲基蓝的吸附研究

以宁夏农业废弃物枸杞杆为原料,用不同的活化剂分别制备磷酸-活性炭（P-AC）、氢氧化钾-活性炭（K-AC）、磷酸-氢氧化钾-活性炭（P-K-AC）,利用比表面积测试（BET）、X射线衍射（XRD）、红外光谱（FT-IR）、扫描电镜（SEM）解析活性炭的孔结构和表面特性,并探究活性炭对水溶液中亚甲基蓝（MB）的去除效果。研究结果表明：P-K-AC比P-AC、K-AC具有更大的比表面积（1 519.84 m²/g）和总孔体积（0.81 cm³/g）,P-AC、K-AC、P-K-AC的平均孔径分别为5.28、2.58、1.99 nm,P-K-AC以微孔为主,K-AC、P-AC均为介孔。3种活性炭表面均分布着丰富的含氧官能团和大量的无定型碳,为吸附MB提供了活性位点。在25 ℃条件下,将10 mg的P-AC、K-AC、P-K-AC分别加入50 mL质量浓度为100 mg/L的MB溶液中用于吸附MB实验。结果表明：P-K-AC的吸附效果最好,吸附率达到95%、吸附量为480.81 mg/g;其次是K-AC,吸附量为352.26 mg/g;P-AC吸附量最小,为225.01 mg/g。P-AC,K-AC、P-K-AC对MB的吸附过程都符合伪二级动力学模型、颗粒内扩散模型和Langmuir等温吸附模型。     

非晶磁性材料磁相变的Monte Carlo模拟

利用Monte Carlo方法研究了基于Heisenberg模型的非晶磁性材料的磁相变.考虑到系统的非晶结构,采用Monte Carlo随机发生器使交换耦合常数J和配位数Z具有一定的涨落,遵从一定的概率分布.模拟结果表明,交换耦合和配位数的涨落对系统的相变起重要的影响作用.系统的相变温度与平均交换耦合常数及平均配位数成正比,且随着它们的涨落的增大而变小.     

精品建筑短期培训

一、精品建筑短期培训 河南省林州市豫北建筑工程技术学校，身居中国著名的建筑之乡，在全国建筑业短期培训非常有名，短期培训教材均达到国家要求，能使初学者及文化程度较低者迅速掌握，已由专业出版社一中国建筑工业出版社和上海科学出版社出版，教材内容简介如下（详细内容见我校网站）：     

SiCf/SiC复合材料耐高温氟熔盐腐蚀性能研究

实验研究了熔渗(MI)工艺、浸渍-裂解(PIP)工艺和化学气相渗透(CVI)工艺制备SiC_f/SiC复合材料在800℃的氟熔盐(46.5mol% LiF-11.5mol% NaF-42.0mol% KF)中的腐蚀行为, 通过X射线衍射仪、扫描电镜以及能谱仪等表征手段, 对腐蚀前后样品的物相组成和微观结构进行了分析。实验结果表明, 不同工艺获得的SiC基体与高温氟熔盐的相容性与基体组成有关; MI-SiC中的游离Si相以及PIP-SiC和CVI-SiC中的富氧相是SiC基体中的两种腐蚀弱区, 易被熔盐选择性腐蚀; MI-SiC_f/SiC复合材料以纤维束间游离Si基体腐蚀为主, PIP-SiC_f/SiC复合材料基体腐蚀损伤集中在网络状富氧带, CVI-SiC_f/SiC复合材料的腐蚀损伤主要是沉积层间的含氧边界以及由此造成的基体层状剥离。与MI和PIP样品相比, CVI基体纯度高, 结晶度好, 表观腐蚀速率仅为0.0445 μg/(mm²·h), 具有更好的耐氟熔盐腐蚀性能。     

MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析

研制出在蓝宅石衬底上制作的MOS AIGaN/GaN HEMT.器件栅长1um,源漏间距4um,采用电子束蒸发4nm的Si02做栅介质.在4V栅压下器件饱和电流达到718mA/mm,最大跨导为172mS/mm,ft和fmax分别为8.1和15.3GHz.MOS HEMT栅反向泄漏电流与未做介质层的肖特基栅相比,在反偏10V时由2.1×10-8mA/mm减小到8.3×10-9mA/mm,栅漏电流减小2个数量级.MOS AIGaN/GaN HEMT采用薄的栅介质层,在保证减小栅泄漏电流的同时未引起器件跨导明显下降.     

异质结n＋多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备

从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在P型4H-SiC外延层上使用P 离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P 离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n 多晶硅/n-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82×10-5Ω·cm2,接触下的注入层的方块电阻为4.9kΩ/□.对n 多晶硅/n-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论.     

鄱阳湖生态系统服务功能状况评价模型及应用

为准确评价鄱阳湖生态系统服务功能状况,应用层次分析法和模糊评价法构建生态系统服务功能状况评价模型,对2010~2014年鄱阳湖生态系统服务功能状况进行评价。结果表明,供给服务、调节服务、文化服务和支持服务权重分别为0.121 9、0.263 3、0.056 9、0.557 9;2010~2014年鄱阳湖生态系统服务功能状况综合评价指数分别为0.723、0.732、0.731、0.710、0.682,评价等级均为良,2011~2014年整体呈下降趋势,一定程度上表明鄱阳湖生态系统服务功能正在退化;供给服务、调节服务和支持服务是影响鄱阳湖生态系统服务功能状况的因素,其中调节服务功能状况既是影响鄱阳湖生态系统服务功能状况的最主要因素,又是导致近年来鄱阳湖生态系统服务功能下降的主要原因,主要受湖泊天然调洪能力和水功能区水质达标率影响。研究结果为湖泊生态系统服务功能评价提供技术支撑。