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表面织构化作为太阳电池生产工艺的起始工序,对于转换效率的影响至关重要.在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,通过调整腐蚀时间制备了三种典型的多晶硅织构化表面,并利用扫描电子显微镜(SEM)和光电转换效率测试仪(IPCE)对其表面形貌和反射率特性进行表征分析.结果表明:低反射率的织构化表面并未获得更高的转换效率,而在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,腐蚀100 s制备得到的“蠕虫状”的腐蚀坑分布均匀,反射率约为26%;且可以很好匹配太阳电池生产工艺中的后续工序,制备得到的太阳电池效率为16.68%,VOC和JSC分别为623 mV和34.55mA/cm2.该织构化方案已在25 MW多晶硅太阳电池生产线上实施,绒面质量得到保证,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产. 相似文献
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采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN;薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。 相似文献
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重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究。采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60~70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Ω和8522mA,光电转换效率也由16.69%(干氧流量2000sccm)提高到了16.83%。此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释。 相似文献
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采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发现,在不同HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO3含量相对较低时,低温刻蚀工艺有较好的效果。所得最佳绒面制备方案为:酸腐蚀溶液体系配比为VHF∶VHNO3∶VH2O=1∶4∶2,温度为3℃,反应速率控制为2.6μm/min。该方案已在25MW多晶硅太阳电池生产线上实施,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。 相似文献
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