特高频及超声波法在GIS设备带电检测中的应用

GIS局部放电带电检测能检测出GIS内部接触不良、绝缘劣化等问题,防止缺陷进一步扩大,保障设备与电网安全运行。介绍了特高频法与超声波法的原理及在GIS局放带电检测中的应用,并结合某500kV变电站GIS的实际案例进行说明,根据放电波形确定放电类型,使用幅值定位法和时差定位法确定放电位置,设备停电解体情况验证了检测分析结果的正确性。     

基于图像识别的指针式温控仪智能检定系统

针对指针式温控仪人工检定效率、精度低的问题,首次设计了一种融合机械设计技术、图像识别技术、数据采集技术、运动控制技术等多种应用技术的温控仪智能检定系统。并详细介绍了系统的整体设计方案、机械结构、硬件结构及软件结构4部分内容,最后用实例验证该系统可自动实现温控仪指针位置的图像识别,远传信号采集,接点切换值(上切值、下切值)的自动检测以及自动绘制温升曲线等功能,真正实现温控仪的全自动检定。     

基于单片机的绕组温控仪智能化改造

介绍了基于单片机的绕组温控仪智能化改造的背景、原理及软硬件方案。以单片机为主控单元的智能匹配器替代传统的变流器,通过对热模拟实验的闭环控制实现了加热电流的自动调节,从根本上解决了绕组温度测量不准确的问题。测试结果证明该方案适用于各种型号的绕组温控仪的智能化改造,具有较高的应用价值。     

一起特殊结构的110 kV CVT故障诊断与分析

针对一种老式电容式电压互感器(CVT)出现的二次失压情况,进行了诊断试验,并根据其结构特点进行了分析和综合判断,发现其电磁单元避雷器老化击穿,从而导致CVT二次失压。建议制造厂改进设计,将电磁单元变压器的一次端通过小套管引出,便于用户对其进行试验。     

圆台形绝缘子的表面电荷密度反演算法

直流气体绝缘输电线路(GIL)中盆式绝缘子的表面电荷是诱发沿面闪络的重要原因,如何准确地测量和计算表面电荷分布仍然是一个重要的研究课题。基于多点测量技术,研究了绝缘子表面电荷密度和电场分布的反演计算方法,评估了测量系统的空间分辨率,并在计算中考虑了静电探头的影响。采用信噪比(SNR)和峰值均方根误差(PMSE)估计了该反演方法的准确度。在0.1 MPa SF6气体中,采用静电探头法测量了直流电压下金属微粒附着的缩比盆式绝缘子的表面电位分布,并计算得到了绝缘子表面电荷密度分布。结果表明,电荷密度分布图中可以清晰地发现金属微粒的位置,算法的空间分辨率和电荷分辨率分别为2.0mm和0.95p C/(mm~2·mV)。电荷密度分布和电位分布存在较大差异,电位分布不能用来代替实际的电荷密度分布。该算法可应用于旋转对称结构绝缘材料的表面电荷密度计算,可为直流GIL绝缘子表面电荷分布特性研究提供理论指导。     

甜菜成熟块根中淀粉水解酶的纯化及其性质

甜菜成熟块根中存在有两种最适 pH 分别为酸性和中性的淀粉酶,以及支链淀粉酶。中性淀粉酶包括分子量为130,000和45,000两个活性部分。两种酶可能具非常不同的带电性。成熟块根中,酸性淀粉酶可以纯化176倍,中性淀粉酶Ⅰ和Ⅱ分别为22和2.6倍。园盘电泳表现出这些淀粉酶是非同质蛋白质。用β—环状糊精亲合层析法,可使支链淀粉酶高度纯化3900倍,且在园盘凝胶电泳上表现为同质蛋白质。     

新工艺在大米加工业中的应用

传统的水稻加工工艺传统的水稻加工工艺采用机械方法 ,由简单的一机出米即入机水稻一次加工成白米 ,发展到有清理、去石、砻谷、谷糙分离及碾白等工序的加工工艺。这种工艺不论水稻新陈、水分高低、水稻质量好坏 ,品种差异 ,还是粒型大小 ,全部采用相同的加工工序 ,结果是加工的大米外观欠佳、粒面无光泽、光洁度差 ,出米率低、碎米多以及产品质量差 ,而且含有粉质粒、病斑粒和稻谷粒等杂物 ,影响大米食味值。新工艺在大米加工业的发展　　随着人民生活水平的提高 ,对米的需求消费观念发生转变 ,注重大米的外观 ,食味口感 ,为适应市场需求 ,…     

基于有限元的电力变压器绕组弹塑性变形分析

电力变压器绕组受短路电磁力作用后,可能出现可恢复的弹性变形或不可恢复的塑性变形。文中通过电磁-结构耦合有限元分析,对短路电流冲击作用下的变压器绕组弹、塑性变形特性进行理论分析和三维数值模拟,以揭示绕组弹性和塑性变形机理。首先通过有限元电磁计算分析了绕组内部短路电磁力分布,其中绕组线饼的周向电磁力分布不均是导致绕组变形的重要原因。在弹性变形计算的基础上,依据材料学的弹塑性变形分析理论,构建了绕组累积变形的量化分析模型,能够反映多次短路电磁力作用后绕组变形的累积效应。最后,以一台110 kV/25 000 kVA、双绕组电力变压器模型为例,进行绕组弹、塑性变形计算。结果可以为变压器绕组动稳定性能和绕组塑性变形预测研究提供理论参考。     

高压交流真空断路器开断直流电路的试验

以人工过零法进行了用ZN3—10/600—150型、ZN4—10/1000—200型和ZN—10/1000—300型高压交流真空断路器单个灭弧室成功地开断8、11和15.5kA直流电流,以及用两台ZN4—10/1000—200型断路器灭弧室两串三并开断直流电路,最高开断参数达25.8kA、26.7kV的试验。对具有纵向磁场的ZNN—10型(暂)真空断路器,在固定开断电路参数的条件下,进行了单个灭弧室连续开断直流电路的试验,为50kA、30kV高压直流断路器的建造奠定了试验基础。