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采用数字化端子控制技术,基于负反馈动态调整原理和可调多晶硅电阻条,设计了新颖的、符合高速串行接口USB2.0协议要求的高精度片上匹配电阻电路.使用TSMC的CMOS 0.25μm混合信号模型,在Cadence软件环境下用spectre仿真器模拟,结果表明在500 MbPs的高速时钟信号作用下,所设计的匹配电阻阻值在[44.3 Ω,45.6 Ω]范围内,最大稳定时间6μs,平均误差为±1.45%,所设计电阻平均变化范围为45×(1±1.45%)Ω,最大误差范围1.56%,达到并高于45×(1±10%)Ω的高速串行接口协议要求. 相似文献
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随着电子商务活动和电子政务活动的飞速发展,电子签章开始广泛地应用到各个领域中.电子签章实质上就是一种数学签名运算.传统的电子签章系统采用“一人一章”的签名体制,实现签署人的身份认证,使得签名效率无法得到提升,同时存在滥用职权的隐患.在研究传统电子签章设计原则和关键技术的基础上,重点分析其存在的安全缺陷,提出基于环签名技术设计安全可靠的电子签章方案,并讨论其安全性. 相似文献
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研究了层状半导体材料GaSe在强激光激发下基本吸收边和激子的光学非线性,确认激子-激子散射过程及激子屏蔽是引起这种非线性的主要机制。 相似文献
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维格特(Weigert)效应是1919年发现的一种光致二向色性现象。本工作对它的各种特性进行了大量的实验测量,弄清了在各种条件下的变化规律,并在此基础上提出了理论模型和计算公式,从理论上计算了维格特效应的各个参量,理论计算与实验结果相一致。基本弄清了维格特效应引起的光敏物质的光学和光谱特性的变化规律和原因。我们使用以下几种方法来产生二向色性:一是利用漂白方法将全息干板中的银转化为 相似文献
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为了解决传统LVTSCR易发生闩锁效应的问题,提出了一种增强型嵌入P浅阱可控硅(EEP_LVTSCR)结构。通过在传统LVTSCR中NMOS管漏极与阳极之间植入PSD/NSD有源区,引入了额外的复合作用,降低了发射极注入效率;通过NMOS管下方P浅阱增强基区的复合作用,同时降低了PNP、NPN管的电流增益,提高了维持电压。基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD软件模拟了新型EEP_LVTSCR和传统LVTSCR的电流电压(I-V)特性。仿真结果表明,新型EEP_LVTSCR的维持电压从传统的1.73 V提升到5.72 V。该EEP_LVTSCR适用于3.3 V电源的ESD防护。 相似文献