排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
溶胶-凝胶法制备的纳米In2O3气敏性能研究 总被引:10,自引:0,他引:10
以氯化铟为前驱体 ,通过溶胶 -凝胶法制备了纳米In2 O3 颗粒 .经TG -DSC热分析表明 :In(OH) 3 在 2 72 9℃附近脱水形成In2 O3 .经XRD ,TEM等手段表征的结果显示 :所合成的纳米In2 O3属立方晶型 ,晶粒尺寸约 2 0nm .气敏性能测试结果表明 :纳米In2 O3 气敏元件对TMA及NH3 灵敏度高 .通过与某公司提供的粒度为 3.0 77μm的In2 O3 制成的气敏元件比较得知 ,纳米In2 O3 气敏元件对TMA的灵敏度提高特别明显 . 相似文献
2.
3.
本文简述了HARRIS DX-100中波数字调幅广播发射机预驱器的原理及故障实例的分析处理。 相似文献
4.
用Na2CO3代替NaOH作沉淀剂,制备了纺锤形纳米γ-Fe2O3,采用XRD和TEM对材料进行了表征.经测试,发现材料在300℃工作温度下对LPG有选择性检测能力(对H2的选择系数为4),并具有相当的气敏稳定性.此外,还发现γ-Fe2O3的气敏机理不仅是体控性机制,在一定温度下,表面吸附氧也起到一定作用. 相似文献
5.
6.
本文针对当前建筑的节能情况以及发展趋势,探讨了建筑设计中的新能源利用问题,其中重点讨论了依赖于太阳能、地热能供暖,以及引进新技术的建筑思想,并且阐述新能源的利用对于建筑节能的重要意义。 相似文献
7.
8.
以InCl3·4H2O为原料,经水解、胶溶、凝胶、煅烧得到了纳米级In2O3.利用XRD,TEM,TG-DTA等测试手段对纳米级In2O3的晶粒生长过程进行了研究.计算表明:随着煅烧温度的升高,平均晶粒度增大,而平均晶格畸变率则随着平均晶粒度的增大而减少.表明粒子越小,晶格畸变率越大,晶粒发育越不完整.应用相变理论计算得温度低于500℃煅烧1h,晶粒生长活化能为4.75kJ·mol-1,高于600℃时,晶粒生长活化能为66.40kJ·mol-1.TEM分析表明:加入适量形貌控制剂,可使颗粒的粒径和形貌得到很大改善. 相似文献
9.
10.
浸渍-涂布法制备In2O3薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
以InCl3@4H2O为原料,采用溶胶-凝胶技术、浸渍-涂布法制备了In2O3薄膜.同时对薄膜厚度与In2O3含量、涂布液粘度以及提拉速度等关系进行研究,发现薄膜厚度与涂布液粘度、提拉速度成对数线性关系.膜厚与提拉速度的关系式为t≈v0.62.XRD、IR测试表明经过400℃煅烧,PVA已经完全排除.SEM照片表明薄膜形貌平整、光亮,从而为该种材料制作实用的气敏元件打下了良好的基础. 相似文献