首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   343篇
  免费   24篇
  国内免费   54篇
电工技术   22篇
综合类   16篇
化学工业   94篇
金属工艺   12篇
机械仪表   12篇
建筑科学   17篇
矿业工程   2篇
能源动力   4篇
轻工业   41篇
水利工程   19篇
石油天然气   19篇
武器工业   1篇
无线电   95篇
一般工业技术   41篇
冶金工业   8篇
自动化技术   18篇
  2024年   1篇
  2023年   5篇
  2022年   7篇
  2021年   8篇
  2020年   6篇
  2019年   8篇
  2018年   6篇
  2017年   4篇
  2016年   11篇
  2015年   10篇
  2014年   14篇
  2013年   9篇
  2012年   18篇
  2011年   11篇
  2010年   18篇
  2009年   42篇
  2008年   42篇
  2007年   40篇
  2006年   38篇
  2005年   26篇
  2004年   19篇
  2003年   8篇
  2002年   9篇
  2001年   5篇
  2000年   12篇
  1999年   5篇
  1998年   7篇
  1997年   7篇
  1996年   5篇
  1995年   4篇
  1994年   1篇
  1993年   3篇
  1992年   4篇
  1991年   3篇
  1989年   1篇
  1986年   1篇
  1982年   1篇
  1979年   2篇
排序方式: 共有421条查询结果,搜索用时 187 毫秒
1.
在甲醇生产装置中,高压蒸汽通往中压蒸汽的减压调节阀开度在行程中段会发生大幅震荡,主要是由于阀芯下行运动到阀座套筒部位瞬间突然增加的不平衡力所致,造成蒸汽管网稳定性不佳,进而影响透平运行工况。详细介绍了阀门故障现象的整个过程和解决该问题所采取的具体方法、步骤;并对阀芯阀座进行了设计改造,改进后的阀芯阀座组合体实现了阀门在装置中应有的全部作用,能够全行程、全时空地保持安全稳定运行。  相似文献   
2.
通过模拟300 MW机组循环流化床(CFB)锅炉的选择性非催化还原(SNCR)脱硝过程,研究了反应温度、氨氮摩尔比、还原剂雾化粒径、还原剂喷射速度等对SNCR脱硝效果的影响,并对某电厂300 MW机组CFB锅炉的SNCR脱硝系统进行了优化。结果表明:在800~ 1 000 ℃的反应范围内,随着温度和氨氮摩尔比的升高,脱硝效率随之提高;还原剂雾化粒径的增加和喷射速度的提高对脱硝效率提升的幅度很小;某300 MW机组CFB锅炉SNCR系统及运行参数优化后,锅炉在3个典型负荷下均实现了NOx的超低排放,最大脱硝效率达到了74.2%。  相似文献   
3.
施工项目成本和工期的动态控制方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
施工项目成本和工期的动态控制方法●●●成黄韩有虎亮平一、施工项目成本模型在项目管理中,工期和成本是两个互相联系和互相影响的目标因素,人们常常将它们联系起来,一齐进行优化和控制。施工项目的“累计成本-工期”曲线,即S型曲线或香蕉图,将计划成本和工期结合...  相似文献   
4.
报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。  相似文献   
5.
利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓度达到2.49×1013 cm-2,且不随势垒层厚度的变化而变化。重点模拟研究了具有背势垒的InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN和InAlN/AlN/GaN/InGaN/GaN两种结构的能带结构和2DEG的分布情况。理论结果表明,采用AlGaN背势垒结构时,对于AlGaN的任意Al组分,GaN沟道层导带底能量均被抬升,增强了AlN/GaN三角势阱对2DEG的限制作用,提高了电子迁移率。采用InGaN/GaN作为背势垒结构,当InGaN厚度为2或3 nm时,三角势阱中的2DEG随InGaN中In组分的增加先升高后降低,这主要是由于GaN/InGaN界面处产生的正极化电荷的影响,引起电子在AlN/GaN三角势阱和InGaN/GaN势阱之间的分布变化。  相似文献   
6.
7.
电脑硬盘的基本结构和工作原理比较复杂,一般的计算机管理人员和用户不必彻底掌握,但对计算机管理人员,需要大致了解其构成原理,以便做好日常使用的维护工作。基于结构原理基础上的使用维护,主要是保护磁道,强调环境卫生、防震动和防静电等。  相似文献   
8.
新型机床的开发是个系统、全面的工作.将项目管理的理念引入新型机床的研发,对项目实现过程的成本控制和质量控制等具有重要意义.本文以ETK2603A数控活塞异形销孔镗床项目开发为例,学习和运用协调创新项目管理理念和方法.  相似文献   
9.
介绍了计算机图形在建筑设计上的应用,并进一步论述了用计算机制作建筑渲染图的方法和步骤  相似文献   
10.
国外要闻     
6月5日,为期5天的第23届世界天然气大会在荷兰阿姆斯特丹举行,共有3000多代表与会。并就世界天然气市场现状和管理、天然气技术创新和可持续发展等议题展开讨论。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号