德国的水资源保护及利用

德国处于大西洋和东部大陆性气候之间的凉爽西风带,是一个水资源较丰富的国家.从北至南,德国地势大致分为五大地形区,即北部低地、中部隆起地带、西南部中山梯形地带、南部阿尔卑斯山前沿地带和巴伐利亚阿尔卑斯山区.德国境内降雨量分布不均,南部、西南部降雨量丰沛,大多在800～1000mm以上,其中南部阿尔卑斯山区在1500mm以上.东、北部部分地区降雨量较小,在500～700 mm之间.     

MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响

为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 13     

1米末级长叶片的机械加工

东方汽轮机厂生产30万千瓦汽轮机的关键之一是末级动叶片的加工。末级动叶片汽道长达1米(简称1米叶片)。1米叶片是目前国内最长的动叶片,如图1所示,它的汽道共有二十一个截面,各截面都是以座标点表示,是无规则座标点叶片。叶片的进出汽边由很多折线组成,叶根为直齿枞树型。叶片的特点是长度长、叶型宽和叶根短。过去我厂加工的叶片,汽道最长为680毫米。     

MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si∶H薄膜沉积速率的影响

为了定量地得到磁场梯度对a-Si∶H薄膜沉积速率的影响,对单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究.通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度.结果表明,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为137.7A时其衬底附近磁场梯度值最大,样品台下面无钐钴永磁时,磁场线圈电流分别为137.7A和115.2A的磁场梯度值依次为次之和最小.制备a-Si∶H薄膜时,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率.通过红外吸收谱技术分析,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为137.7A下能得到最大的沉积速率,但是沿样品台半径方向沉积速率呈现很明显的不均匀分布.     

热丝辅助MW-ECRCVD制备a-Si:H薄膜及硅-氢键合模式变化的研究

采用热丝辅助微波电子回旋共振化学汽相沉积(MW ECR-CVD)系统制备氢化非晶硅(a-SiH)薄膜.实验证明在原有的MW ECR-CVD基础上加入热丝辅助系统能有效提高a-SiH薄膜的沉积速率并大幅改善薄膜的稳定性;薄膜的沉积速率随着沉积压强的增加和热丝温度的上升而增加.通过光致衰退实验,将样品衰退前后的红外吸收谱图进行基线拟合和高斯函数拟合,计算得到薄膜的氢含量基本不发生变化,但Si-H与Si-H2组态的相对含量改变.     

太阳能电池板发电效率的实验研究

为了更好的利用太阳能资源,针对南京地区太阳能发电的应用问题,设计并实验分析了太阳能电池板在不同波长光照下发电效率的规律,并进行了不同照射角度下发电效率的实验研究.文中设计了太阳能电池板发电效率的测试方案,采用滤光片分别进行了四种波长太阳光线的获取;针对太阳能电池板的组合排列,分别设计了五种组合方式,并对每一种组合方式进行了实验研究.实验结果表明,在南京地区的天气中,中午12到14点太阳能发电效率最高;在波长方面,大于600nm的光线的发电效率最大;在实用性方面,四个太阳能电池板并联方式提供的电流最强,四个串联方式提供的电压能量最大.研究结果能为更好地利用太阳资源能提供良好的借鉴.     

德国污水治理与污水资源化利用

为借鉴国外农业水土资源与生态环境保护与治理的先进经验，国家科技部农村与社会发展司和中国科技交流中心在德国举办了“农业水土资源与生态环境保护”的培训班。此次培训内容丰富，形式新颖。现就 德国的污水治理与污水资源化方面谈一点感受与体会。     

建设"碧水田园"水环境为都市型郊区经济发展服务

1 北京郊区水环境现状 1.1 郊区水环境建设情况 北京行政区总面积16 800km2,其中郊区面积15 760km2.郊区是北京的生态屏障和重要水源地,但水资源短缺和水环境污染已成为影响北京经济可持续发展的制约因素.据统计,北京市污水排放量在300万m3/d以上,其中郊区排放约40万m3/d.保护水资源,改善水环境已成为北京市面临的一项重要工作.     

热丝辅助ECR-CVD制备a-Si:H薄膜的红外和光致衰退研究

采用热丝辅助MWECR-CVD系统制备出了a-SiH薄膜.应用傅立叶红外仪测量了薄膜的红外谱,用共面蒸铝电极法测量了薄膜的光电导.通过比较A样品(加入热丝)和B样品(未加热丝),得出在热丝辅助MWECR-CVD系统制备非晶硅薄膜过程中,热丝的光照对薄膜的抗衰退起到了关键作用,用该系统制备非晶硅薄膜,大大降低了薄膜中的总氢含量,提高了薄膜的稳定性,同时,Si-H键合体的摇摆模发生了红移.     

氢化非晶硅薄膜光衰退稳定性的影响因素

用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-SiH薄膜光衰退稳定性的因素一方面,非晶硅网格中氢含量、氢硅键合方式以及氢的运动情况均对非晶硅材料的稳定性起着十分重要的作用,另一方面,在非晶硅的基体上生长少量微晶硅,可提高薄膜的稳定性.最终希望能通过两者的结合来探讨如何制备高光敏性和低光致衰退的非晶硅薄膜.