一种新型的Pt-NiO混合敏感膜全固态 溶解CO2传感器及其特性测量

为了方便的测量溶解二氧化碳(CO₂),利用室温下NiO对CO₂的敏感特性,基于碳糊成膜方法,研制了一种新型全固态溶解CO₂传感器.文章中,分析了传感器的结构和NiO敏感膜对CO₂的敏感机理,测量了不同工作点和不同温度下传感器输出电压ΔV_rs随着溶解CO₂浓度变化的响应特性.实验结果显示,基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜溶解CO₂传感器可以在室温下方便的检测溶解CO₂浓度.     

三峡库区生态功能区划研究

三峡库区是我国重点敏感生态区和长江中下游的生态屏障,其生态环境质量直接关系到三峡工程的综合效益和长江中下游的生态安全。在分析三峡库区生态环境现状与主要生态环境问题、明确生态环境敏感性和生态服务功能重要性空间分异基础上,综合采用GIS分析、聚类分析和专家集成等方法,根据生态功能区划的原则,按三级分区的等级体系将三峡库区划分为4个自然生态区、6个生态亚区、9个生态功能区;并探讨了各生态功能区主要的生态环境问题、功能定位及生态环境建设措施与重点,以期为三峡库区生态环境保护与建设规划提供依据。     

潲水油在精炼中卫生指标的检测与分析

依据食用油脂精炼工艺,对毛潲水油进行不同程度精炼处理,并对不同精炼阶段的样品进行卫生指标检测.结果表明,经脱胶、脱酸、脱色、脱臭后的样品黄曲霉毒素B1及苯并(a)芘高达21μg/kg和11μg/kg,分别超出国家规定食用植物油卫生标准的5%和10%,且其电导率及极性成分也远高出市售食用植物油.因此,毛潲水油及其各精炼阶段的样品均属不可食用油脂.     

氢等离子体辅助铝诱导晶化非晶硅的研究

本文中提出了一种通过氢等离子体改进和加速铝诱导晶化的工艺方法。通过拉曼散射谱、SIMS测试晶化多晶硅,结果说明了氢等离子体的作用缩短了铝诱导晶化的时间。这项技术使退火时间由10小时缩短到4小时同时使霍尔迁移率从22.1 cm2/V增加到42.5 cm2/V。另外也对氢等离子体辅助铝诱导晶化的可能机理做了讨论。     

多晶硅薄膜的氢等离子体钝化机理研究

研究了氢等离子体钝化多晶硅(poly-Si)薄膜中缺陷态的详细物理机制。结果表明,多晶硅中不同的缺陷态需要不同的氢等离子体基团予以钝化。Hα具有较低的能量,主要钝化悬挂键类缺陷态;H*具有较高的能量,对钝化晶界附近与镍杂质相关的缺陷态更有效;Hβ和Hγ具有的能量最高,可以用来钝化晶粒内部的缺陷态。这些分析和结果有利于优化H等离子体钝化多晶硅的条件,进一步提高多晶硅性能。     

利用碳糊成膜法改进CdTe太阳电池背处理工艺

提出一种新型的制备Cd％太阳电池背接触方法。利用碳糊成膜法,将含Cu、Te的CdCl2浆状悬浊液涂覆在CdTe表面,只进行一次后退火,X射线衍射（XRD）、二次质子谱（SIMS）测试发现,就能同时达到CdCl2后处理的作用、形成CuxTe的缓冲层和降低背接触势垒的目的。实验结果表明。本文方法将传统的CdCl2后处理和形...     

基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜溶解二氧化碳传感器的研究

应用碳糊成膜方法,设计一种基于MISFET结构Pt-NiO混合敏感膜的新型溶解二氧化碳传感器.文中对器件进行了测量,给出了不同工作点下器件输出电压变化量△Vrs随着溶解二氧化碳浓度变化的响应曲线.实验结果表明,室温下基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜对溶解二氧化碳有很好的敏感性.     

晶化多晶硅氢等离子钝化处理的优化研究

以衬底温度和射频(RF)功率为调控晶化多晶硅薄膜的氢等离子钝化处理工艺的参数,借助发射光谱(OES)全程实时探测以及对氢化处理后薄膜的傅里叶变换红外吸收谱(FTIR)的分析,通过钝化前后薄膜电性能相对照,探讨工艺优化的微观机理。对于LPCVD为晶化前驱物SPC晶化的样品,氢等离子体中的Hβ和Hγ基元对氢钝化处理起主要作用。硅薄膜氢化处理后膜中的氢以Si-H或Si-H2的形态大量增加。随氢化处理的温度升高,促使Hβ和Hγ以更高的动能在表面移动并进入薄膜内与硅悬挂键键合。只有提供足够的动能才能有效改善多晶硅微结构(R降低),使霍尔迁移率得以增大;样品在足够高的衬底温度下,只需较低功率即能产生所需数量的Hβ和Hγ等离子基元对样品予以钝化。降低功率,能有效降低I2100、继而减小R,从而减少对薄膜的轰击和刻蚀,有利提高电学性能。实验中样品氢化处理较优化的条件为550°C,10 W,其霍尔迁移率提高了43.5%。     

复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响

以SiO₂为内核、CeO₂为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析复合磨料的表面物相结构及化学键组成。研究结果表明,所制备的复合磨料呈现出“荔枝”形,平均粒径为70～90 nm, CeO₂粒子主要以Si—O—Ce键与SiO₂内核结合。将所制备的复合磨料配置成抛光液进行层间介质化学机械抛光(CMP)实验。实验结果表明,Zeta电位随着pH值的降低而升高,当pH值约为6.8时达到复合磨料的等电点。当pH值为3时,层间介质去除速率达到最大,为481.6 nm/min。此外,研究发现去除速率还与摩擦力和温度有关,CMP后的SiO₂晶圆均方根表面粗糙度为0.287 nm。