鼓励制造业信息技术创新

2006年3月，温州市鹿城警方、温州电信分公司全面启动“全球眼”视频监控平台。在鹿城公安分局，一台已连接宽带互联阔的电脑显示屏上，可以看到府前街上车水马龙景象，画面十分清晰。画面切换成温州市第三医院，从医院周边的街道到车库，一览无余。     

酒花及酒花制品在啤酒工业中的应用

本文阐述了酒花在啤酒酿造中的作用，并论述了酒花制品在啤酒工业中的应用。     

新型二维电子气Si/N~+α-Si:H异质结双极型晶体管

<正> 本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管(2DEG HBT)的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型晶体管(HBT),由于发射结导带差等原因在异质结界面处形成二维电子气层,从而降低了对异质结界面态的要求,实现使用常规工艺来制作宽禁带发射极异质结晶体管。目前这一工作主要在硅材料上进行,利用重掺杂N型氢化非晶硅(N~+a-Si:H)作宽禁带发射极材料,在单晶硅上制作2DEG HBT。实验样管电流增益h_(FE)=120(V_(CE)5V,I_C=80mA),基区电阻5kΩ/□,表面浓度1.8×10~(18)cm~(-3)。     

0.25μm CMOS千兆以太网发送器设计

分析了千兆以太网体系结构,给出了符合IEEE 802.3z标准中1000BASE-X规范的发送器电路结构,并采用TSMC 0.25 μm CMOS 混合信号工艺设计了符合该规范的高速复接电路和锁相环时钟倍频电路.芯片核心电路面积分别为(0.3×0.26)mm2和(0.22×0.12)mm2.工作电压2.5 V时,芯片核心电路功耗分别为120 mW和100 mW.时钟倍频电路的10倍频输出时钟信号频率为1.25 GHz,其偏离中心频率1MHz处的单边带相位噪声仅为-109.7 dBc/Hz.在驱动50 Ω输出负载的条件下,1.25 Gbit/s的高速输出数据信号摆幅可达到410 mV.     

自力更生研究半导体器件

中国的知识分子、技术人员在外界封锁的环境下,在海外回国的一批半导体学者带领下,凭藉知识和实验室发展到实验性工厂和生产性工厂,开始建立起自己的半导体行业。     

负电子微分迁移率场效应管的二维数值分析

本文对于新型的负电子微分迁移率场效应管内部的电位、沿沟道方向的电场以及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值模拟,结果表明通过适当选取器件尺寸、掺杂分布以及偏置电压,沿沟道方向可以产生一个处于负电子微分迁移率范围之内的均匀电场,使沟道具有负RC效应而不出现高场畴.     

四招出击选购UPS

相信U PS之于企业机房的重要性,大部分的用户都非常的了解,但是作为用户来讲,如何根据自己的需求,选出适合自己的产品,仍然存在疑问。选择适合的U PS对于用户来讲,的确是“陌生的”、“技术含量较高的”。记者就此采访了艾默生U PS产品部总经理吴健先生。吴健对于如何选购U PS给出了他的四点建议。第一招:选品牌选择品牌产品,不仅质量能够得到保障,而且售后服务也跟得上,吴健举例说,价格非常便宜的单机后备型U PS,的确在价格上非常有竞争力,但是,这样便宜的产品一般是省去了滤波线路和稳压线路,而且对于免维护电瓶这样的关键部件,也可…