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1.
以Cu-Zr-Ag非晶合金作为前驱体,利用快速凝固技术和脱合金相结合的方法制备纳米多孔铜银双金属(NP-CuAg),通过化学沉淀法使MnO2在NP-CuAg上形核生长,成功制备出NP-CuAg和MnO2的复合电极材料(NP-CuAg/MnO2)。利用XRD、SEM分析材料的相组成及微观形貌,通过循环伏安法和恒流充放电法研究复合电极材料的电容特性。结果表明:兼具三维连续纳米孔洞结构及优异导电性的NP-CuAg作为依附载体可大幅度提高MnO2颗粒的分散度和电极材料导电性,使其电化学性能得以充分发挥。复合电极材料的比电容值随着前驱体合金中银含量的增加而提高,前驱体合金中Ag含量为10 at.%时电容值可达392.86 F/g。封装成可反复充放电的纽扣型电化学储能器件,可成功对LED灯泡供电。  相似文献   
2.
在执行API SPEC 5L管线规范的过程中,当使用X射线数字检测方法对钢管焊缝进行无损检测时,检测标准应采用API SPEC 5L规范的引用标准ISO 10893-7,该标准未对双丝像质计的使用频次等工艺要求进行明确,因此还需要参考其引用标准ISO 17636-2的相关要求执行。为了使X射线数字检测方法的工艺文件编制及工艺执行更加严谨和完善,以ISO 10893-7—2019为主,将其与ISO 17636-2—2013的相关内容进行对比,并对两者的主要差异进行了分析,以便为X射线数字检测的工艺执行提供参考和依据。  相似文献   
3.
设计Ni40Ti60高强韧非晶合金为前驱体在0.25 M HF溶液中“自由脱合金-自然氧化”一步法得到纳米多孔镍/氧化镍(np-Ni/NiO)复合电极材料。对复合电极材料的结构、形貌和储能特性进行探究,结果表明:np-Ni/NiO具有“脱合金层︱非晶芯层︱脱合金层”的三明治型复合结构,层与层之间自然结合,保证了电极材料的柔韧性和结构一体化;脱合金层的厚度与NiO的含量随脱合金时间延长而增加。脱合金2 h的样品其体积比电容可达491.1 F/cm3,循环6000次后仍可达472 F/cm3。  相似文献   
4.
基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置,对单晶SiC基片进行了平面抛光试验研究。研究结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较好的抛光效果;加工间隙在1.4mm以内抛光效果较好,30min抛光能使表面粗糙度值减小87%以上;随着加工时间的延长,表面粗糙度越来越小,加工30min时粗糙度减小率达到86.54%,继续延长加工时间,加工表面粗糙度趋向稳定。通过优化工艺参数对直径为50.8mm(2英寸)6H单晶SiC进行了集群磁流变平面抛光,并用原子力显微镜观察了试件加工前后的三维形貌和表面粗糙度,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从72.89nm减小至1.9nm,说明集群磁流变效应超光滑平面抛光用于抛光单晶SiC基片可行有效且效果显著。  相似文献   
5.
针对SiC晶片外延膜生长需达到原子级超光滑表面的要求以及加工效率低、表面精度差的问题,提出了一套磁流变-化学机械精密抛光装置,该装置利用软件平台对抛光盘和工件运动精确控制,并具有温度、转速等参数微调及显示功能。对装置的工作原理、结构进行了介绍,并在该装置上进行了工艺试验,取得较高的加工效率和光滑无损伤的加工表面。  相似文献   
6.
本文进行了氮化铝基片的集群磁流变抛光加工研究,分析了主要工艺参数的影响和加工表面形貌特征.实验结果表明:集群磁流变抛光加工氮化铝基片可以实现高效率超光滑抛光,原始表面Ra1.730 2μm抛光60 min后可以达到Ra0.037 8μm.选用碳化硅磨料,磨料质量浓度为0.05 g/mL,工件与抛光盘转速比为5.8左右,...  相似文献   
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