五里湾表面活性剂组合驱油技术研究及试验

随着油田开发时间的延长,相渗逐步发生变化,油井含水上升速度不断加快,水驱油效率降低。为延缓含水上升速度,提高最终采收率,开展了以调剖和驱油技术相结合的组合调驱技术研究。并针对组合调驱技术及其现场应用中存在的问题,通过系统的理论分析和室内模拟实验,探索出适合采油三厂提高最终采收率的有效方法,改善低渗透油藏的水驱开发效果。通过对油藏的精细描述,优化选井,在五里湾一区开展了三口水井的现场试验,试验效果良好。     

胶体晶体模板法合成有序大孔聚甲基丙烯酸甲酯

以离心沉降技术组装的二氧化硅胶体晶体为模板,从同种尺寸的二氧化硅微球出发,合成了孔的结构和形貌不同的两种有序大孔聚甲基丙烯酸甲酯。采用扫描电镜对模板、复合物及聚合物的形貌和微观结构进行了观察和表征。实验结果表明,所合成的聚甲基丙烯酸甲酯具有高度有序的多孔结构,模板的热处理工艺对孔的形状和连通性均有重要影响。     

胶体模板法制备三维锗光子晶体

采用胶体模板法并通过简单可控的化学填充工艺制备了三维锗光子晶体；以单分散二氧化硅小球的蛋白石结构为模板，由氯化亚锗与丙烯酸化合制备得到3-三氯锗丙酸（Cl3GeCH2CH2COOH）白色粉末，以三氯锗丙酸的乙醇溶液作为锗源先驱体，低温水解得到β-羧乙基锗倍半氧化物，在600～660℃经H2还原后形成锗，由2％HF化学浸蚀消除模板．对终产物进行X射线衍射分析。结果表明：产物为多晶锗。通过扫描电子显微镜对终产物的形貌进行观察的结果表明：包裹有空气的锗壳球有序阵列已经形成。将先驱体浓度为0．6mol／L的溶液填入模板空隙后。壳层表面可以获得较为光滑致密的锗壳。     

高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型，由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响，因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素，并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm，从而使开关的电容比增加到3800。最后，讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

靖安油田ZJ2区延9油藏生化二元驱技术研究与应用

靖安油田ZJ2区延9油藏目前已进入高含水期,导致含水上升矛盾日趋突出,产量递减呈加大趋势,开发难度加大,为此开展了生化二元驱室内研究。研究表明,将缓释营养剂和微生物驱剂交替注入油藏后,建立新的微生物生态系统。室内试验在67株菌种中筛选出产生物聚合物菌最优的LY#1菌与缓释营养剂复配后得到CQ-CYJⅠ,通过物模调堵试验测得堵塞率可以达到79.04%;将产生物表面活性剂菌最优的LY#4菌与激活剂CQ-3复配后得到CQ-CYJⅡ,该体系各项指标最优。生化二元驱技术应用于柳29-47、柳27-47和柳28-48这3个井组,现场试验后发现措施后油水井累计增油5400t,投入产出比为1∶1.62,优选的配方体系具有较好的适用性。     

防冻乳状型防蜡剂YZ238的研制

为了克服油基清防蜡剂存在的有毒、易燃、密度小等缺点,解决水基清防蜡剂存在的清蜡效率低、防蜡效果差等不足,研制出具有低毒、不易燃烧、防蜡效果好的YZ238防冻乳液型防蜡剂。该防蜡剂主要由1#、2#活性剂、蜡晶改进剂和有机溶剂组成。室内实验表明：该防蜡剂在最佳的配比条件下,稳定性≥270天,凝固点≤-30℃,静态防蜡率大于70％。     

InP-SiO2三维光子晶体的制备

用溶剂蒸发法将单分散SiO2微球组装成三维有序结构的胶体晶体,用金属有机化学气相沉积技术向SiO2胶体晶体中填充高折射率材料InP,获得了InP-SiO2两种介质复合的三维光子晶体,通过扫描电子显微镜、X射线衍射、能谱和紫外-可见光谱仪对InP-SiO2三维光子晶体的形貌、结构和光学性能进行了观察测试。研究结果表明：InP在SiO2微球空隙间具有较高的结晶质量,填充较致密均匀、与相同晶格周期的SiO2光子晶体相比,InP-SiO2光子晶体的反射光谱的峰值波长发生明显的红移。     

多孔硅薄膜的纵向均匀性及其光学特性研究

多孔硅样品使用脉冲电化学腐蚀法经过不同的腐蚀时间制备完成,使用反射光谱、光致发光光谱和SEM对多孔硅薄膜的纵向均匀性以及其光学特性进行了研究,还详细研究了随腐蚀深度变化的折射率和光学厚度(n*d)等光学参数。实验表明：随着腐蚀深度的增加,多孔硅薄膜的平均折射率n降低,即多孔度变大;多孔硅薄膜的光学厚度的形成速度减小;同时,反射光谱表现更弱的干涉性,表明薄膜的均匀性和界面的平整性变差;另外,光致发光谱的强度微弱变强。     

温度：影响多孔硅光学特性的一个关键参数

The optical properties of porous silicon（PS） samples fabricated by pulse etching in a temperature range from-40 to 50-C have been investigated using reflectance spectroscopy,photoluminescence spectroscopy,and scanning electron microscopy（SEM）.The dependence of the optical parameters,such as the refractive index n and the optical thickness（nd） of PS samples,on the etching temperature has been analyzed in detail.As the etching temperature decreases,n decreases,indicating a higher porosity,and the physical thickness of PS samples also decreases.Meanwhile,the reflectance spectra exhibit a more intense interference band and the interfaces are smoother.In addition,the intensity of the PL emission spectra is dramatically increased.