纳米粉体制备高梯度氧化锌压敏电阻球磨工艺的改进

通过改进球磨工艺,以解决添加部分纳米粉体制作高梯度氧化锌压敏电阻生产中,球磨时浆料粘稠,流动性差,无法提高固含量的问题。实验表明,通过调整投料顺序,浆料的固含量和流动性以及最终烧制的压敏电阻电性能均获得提高,固含量为65%,粘度为195 mPa·s,直径为28 mm电阻片,梯度为363 V/mm,漏电流为2μA,2 ms方波通流204 A。     

纳米氧化锌对压敏电阻电性能的影响

将添加质量分数分别为2%、4%、6%和8%的纳米ZnO掺入氧化锌压敏电阻中,利用纳米粒子的高活性阻止界面迁移,增加压敏电阻的晶界界面数,促进阀片的成分均匀化和致密化,有效提高阀片的电位梯度和能量耐受能力。添加的纳米ZnO的质量分数从2%增加至8%时,电位梯度从347 V/mm增加至395 V/mm,同时8/20μS的残压比下降,2 ms方波冲击电流从121 A增加至149 A。     

纳米Bi_2O_3对ZnO压敏陶瓷性能的影响

采用纳米Bi_2O_3添加入ZnO压敏陶瓷中,添加量分别是100%、60%、30%和0。利用纳米颗粒的高活性、比表面积大,熔融温度相对较低等特性,使实验样品致密度增加,在烧结过程中及早生成尖晶石晶相,该晶相成为晶粒内的"锚栓",有效提高ZnO压敏陶瓷的电位梯度和能量耐受能力。当纳米Bi_2O_3添加量从0增加至100%时,样品致密度增加,电位梯度从305 V/mm增加至385 V/mm,同时8/20μS的残压比下降,2 ms方波冲击电流从132 A增加至207 A。     

低温烧结对氧化锌压敏电阻的影响

采用不同烧结温度(1 000~1 120℃)制备ZnO压敏电阻瓷,通过扫描电镜分析显微结构,探讨烧结温度对ZnO压敏电阻瓷小电流性能的影响机理。结果表明:烧结温度在1 020℃、保温90 min时,ZnO压敏电阻瓷的性能较好,电位梯度达到408 V/mm,漏电流为1.8μA,非线性系数为37;烧结温度在1 000℃时,电位梯度可达475 V/mm。     

纳米添加对氧化锌压敏电阻性能的影响

通过使用高频等离子法制备纳米材料,研究纳米材料对氧化锌压敏电阻微观结构和电性能的影响。结果表明,烧结温度在1 080～1 120℃范围内可制备高性能的氧化锌压敏电阻陶瓷,其阀片的电位梯度达到429 V/mm,漏电流为6μA,非线性系数为39,能量吸收密度为296 J/cm3,性能远高于传统阀片。     

高梯度氧化锌压敏电阻的制备

采用我公司自制的纳米材料,并添加Ce O2、La2O3、Y2O3、Sm2O3稀土氧化物对氧化锌压敏电阻进行掺杂改性,研究了不同稀土氧化物对氧化锌压敏电阻性能的影响。结果表明,在同等掺杂的情况下,1120℃左右烧结成瓷,制备的氧化锌压敏电阻表现出不同的电性能,其中以Y2O3掺杂改性效果最佳,其能量吸收密度达到284 J/cm3,电位梯度达到308 V/mm,漏电流为4μA,性能优于其他稀土氧化物掺杂改性,更优于传统阀片。     

窄粒径分布的有机硅光扩散剂制备

为了解决LED眩光等应用问题,制备高性能的有机硅光扩散剂。以甲基三甲氧基硅烷为主要原料,应用微晶种子液法,并通过对反应溶液酸碱度的控制,制备了窄粒径分布的有机硅光扩散剂产品。经过TGA、SEM、FTIR等项目的检测,结果表明,制备的有机硅光扩散剂的粒径为2μm左右,粒径分布范围小,在1.8~2μm范围内,且球形度好,表面光滑,透光率为55%,雾度92%。