高频等离子体法制备纳米氧化铋

采用高频等离子体为热源,以普通微米级氧化铋粉体为原料制备高纯氧化铋纳米粉末。用X射线衍射仪、透射电镜和X射线小角散射法(SAXS)对高纯氧化铋纳米粉结构、形貌、粒度及其分布进行表征;用BET吸附法测定比表面积,并测定其红外和紫外吸收性能。结果表明,高频等离子体法制备纳米氧化铋为正方晶系的Bi2O3,中位粒径17.5 nm,粒径范围分布在1~50 nm,比表面积为47.73 m2/g,禁带宽度为2.25 eV。     

高频等离子体法制备纳米三氧化二锑

以普通三氧化二锑为原料,采用高频等离子体为热源,经高温加热和骤冷工艺,得到纳米三氧化二锑粉,对制备的粉体进行化学成分、比表面积、粒径、物相和形貌等测试。结果表明,采用高频等离子法制备的纳米三氧化二锑为立方晶系,粉体颗粒为球形,平均粒径为30 nm,比表面积为90.9 m2/g。     

低温烧结对氧化锌压敏电阻的影响

采用不同烧结温度(1 000~1 120℃)制备ZnO压敏电阻瓷,通过扫描电镜分析显微结构,探讨烧结温度对ZnO压敏电阻瓷小电流性能的影响机理。结果表明:烧结温度在1 020℃、保温90 min时,ZnO压敏电阻瓷的性能较好,电位梯度达到408 V/mm,漏电流为1.8μA,非线性系数为37;烧结温度在1 000℃时,电位梯度可达475 V/mm。