GaAs基半导体激光器热特性

对GaAs基808nm半导体激光器进行恒流老化试验,并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻,发现有源区温度随老化时间明显上升,而热阻没有明显变化,同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特性,经分析,激光器失效的主要原因是有源区载流子非辐射复合增加,引起激光器有源区温度上升,从而说明电学法热特性测试是检测激...     

全液体空分装置高低温膨胀流程形式的比较

通过对全液体空分装置高低温膨胀流程进行不同的流路组织,经过对膨胀机组运行特点和换热器换热情况的分析比较,对不同的运行负荷要求如何选择更合适的流程形式做出了可行性的建议以达到能耗最优化的目的。     

高功率808 nm AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征

利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.     

半导体激光器不同封装下的封装应力

为研究正装和倒装封装下高功率半导体激光器有源区的应力问题,利用有限元软件ANSYS分析得到了两种封装方式下应力场分布图及有源区平行于x轴路径上的应力变化曲线。模拟结果表明,与正装封装相比,倒装封装下有源区应力变化剧烈,平均值高出正装一个数量级。并通过荧光光谱实验对比了封装前后激光器芯片的波长变化,根据半导体禁带宽度与应变关系算出两种封装下的应力大小,与模拟值相符。通过模拟和实验结果可见,芯片封装形式对芯片引入的应力有显著的差别,倒装封装下芯片有源区应力远高于正装封装。     

大功率激光器巴条热特性研究

利用半导体激光器结电压随温度变化关系,测量了大功率激光器巴条的稳态温升曲线,并用红外热成像方法进行了验证。同时采集到的稳态温升曲线结合结构函数方法,可以得到激光器巴条热量传递路径上各层结构的热阻。然后通过测量激光器巴条的热阻可以得到其光转换效率,,施加在半导体激光器巴条上的工作电流越大,其热阻越小,光转化效率越高,与半导体激光器测试仪测量的光转换效率的变化一致。     

适用于高密度封装的失效分析技术及其应用

高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战.常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进.介绍了X射线、计算机辅助层析成像(CT)技术、微探针和多方法联用等失效分析技术,分析了其原理和适用于高密度封装的优势.并结合两个高密度封装失效分析案例,具体介绍了其在案例中的使用阶段和应用方法,成功找到失效原因.最后总结了各方法在高密度封装失效分析中应用的优势、不足和适用范围.     

集成电路芯片热机械应力特征研究

本文在试验和理论两个方面,系统研究了芯片热机械应力特征。作者利用红外热成像技术研究了芯片内部热机械应力随工作电流的瞬态变化关系,发现芯片热机械应力随工作电流呈对数增长。同时本文利用有限元方法模拟计算了芯片热机械应力在不同电流密度下与总工作电流的关系,从而验证了上述实验结论,并发现随着电流密度增加芯片内部热机械应力上升速率变快。     

40 nm IC静态和动态 ESD测试及失效分析

结合电网内使用电子器件面临的复杂电磁环境,介绍芯片在静态和动态下静电放电(electrostatic discharge,ESD)的防护能力测试,分析了ESD器件充放电模式(CDM)失效的现象和定位方法. 针对40 nm LQFP64封装芯片,详细介绍ESD测试过程和失效判定分析过程,综合运用激光束电阻异常侦测、扫描电子显微镜等手段完成对失效位置的定位和失效点的精确分析. 通过测试结果分析其失效机理,ESD保护电路中的晶体管,在电阻率下降、电流密度增加导致温度升高的正反馈作用下保护电路中的晶体管发生熔断,从而导致ESD保护电路失效.