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采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10%增加到50%,TFT的阈值电压由0.5 V增加到2.2 V,而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30 V偏压3600 s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1 V增加到9 V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增加。而在金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态,栅介质层(GI)会俘获更多的电子,造成阈值电压漂移量较大的现象。 相似文献
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气流膨化香蕉脆片的工艺初探 总被引:4,自引:0,他引:4
以新鲜香蕉为原料 ,采用气流膨化工艺 ,从不同品种、成熟度、预处理方式、温度、压力差、停滞时间等几个方面对香蕉的膨化工艺进行了研究。结果表明 ,不同品种的香蕉膨化效果差异较大 ,福建蕉和广州蕉膨化效果优于海南蕉。在福建蕉的膨化试验中 ,低温预处理膨化效果较好 ;随着成熟度加大 ,膨化效果反而降低 ,以刚脱涩、口感无涩味时膨化效果最佳。最终 ,确定膨化温度 110℃ ,停滞时间 3~ 5min ,膨化时间 4 5min ,压差 10 5kPa是香蕉适宜的膨化条件。 相似文献
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