金薄膜的反应离子刻蚀工艺研究

采用反应离子刻蚀（RIE）工艺对金薄膜进行了干法刻蚀研究,得到了刻蚀速率随两极间偏压、气体压强和气体成分等因素变化的规律。试验结果表明,刻蚀速率随偏压的增加而增大;当压强增加时,刻蚀速率先增加后减小;不同种类的气体对刻蚀速率影响较大;刻蚀时间与刻蚀厚度在一定范围内成正比。另外,找到了控制刻蚀过程均匀性和选择比的方法。     

Ka频段陶瓷基板微带带通滤波器设计分析

为满足微波电路小型化的发展要求,基于陶瓷基板设计了一款Ka频段的微带带通滤波器。分析了滤波器的电路设计原理及工艺设计方案,采用电路优化和三维全波仿真结合的方法对电路进行仿真。在优化后的版图基础上,通过改善膜层附着力、提高加工精度等方式对滤波器的加工进行控制。测试结果满足使用要求,证明了电路及工艺设计方案的正确性。     

低成本大口径碳纤维复合材料天线反射面制造及应用

通过对室温固化环氧树脂/碳纤维体系材料的选择和成型工艺的研究,采用室温湿法固化和真空袋压相结合的成型工艺成功制造出大口径碳纤维复合材料天线反射面,其成本较中温固化成型降低50%以上。该反射面已用于口径1.2m的车载抛物面天线,满足Ka及Ka以下频率的使用要求。     

LTCC电路加工过程质量影响因素分析

LTCC电路加工过程复杂,影响产品质量的因素众多。从加工工艺流程入手,对LTCC电路加工过程中工艺性审查、CA M 处理、网版制作、丝网印刷、叠片、层压、烧结、划片等工序的质量影响因素进行深入分析,对LTCC电路加工者具有一定的参考价值。     

LTCC电路加工中的关键技术分析

LTCC电路是实现3D立体封装的有效形式之一,从LTCC电路的组成材料出发,概述了LTCC电路的特点及典型的生产流程,提出了LTCC电路加工中需要解决的问题,分析了加工中孔互连、印刷控制、层叠环境、烧结控制和腔体保护加工等关键技术以及不同加工方式对产品质量的影响。     

基于体硅MEMS技术的悬浮微结构加工工艺研究

针对体硅MEMS加工技术的特点,确定了悬浮微结构的加工工艺流程,并对加工过程中的硅基深槽腐蚀工艺和ICP刻蚀工艺这两项关键技术及其中的重要影响因素进行了研究,得到了硅基深槽腐蚀的溶液类型、浓度和温度等工艺参数,以及ICP刻蚀工艺的功率、气体流量等工艺参数。根据优化的工艺参数,采用厚度为400μm的N型<100>硅片加工了外形尺寸为3 mm×3 mm、线宽尺寸为100±2μm、硅槽深度为390±2μm的悬浮微结构样件。