浅谈界河倒虹吸预应力混凝土裂缝的预控措施

文章在通过对混凝土裂缝产生的原因进行分析的基础上,阐述了对在界河倒虹吸施工中预应力混凝土裂缝所采取的预控措施。     

阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边E8在0.77eV附近.利用微区分析(CL mapping)系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.     

磷钨系杂多酸复合TiO2纳米粒子的制备及光催化特性

用溶胶-凝胶法制备了磷钨系杂多酸复合的TiO2纳米粒子。利用透射电子显微镜、紫外-可见吸收光谱和傅立叶转换红外光谱对杂多酸复合TiO2纳米粒子的形貌、结构和粒径进行了表征。结果表明制备的复合TiO2纳米粒子为近球形，粒径为12～15nm，表现出量子尺寸效应，杂多酸阴离子保持原有的Keggin结构；并且对复合TiO2纳米粒子的结构进行了理论探讨。还对杂多酸复合TiO2纳米粒子的光催化活性进行了研究，表明复合的TiO2纳米粒子具有更高的光催化活性。     

γ-LiAlO2衬底上m面GaN薄膜的各向异性的测试和分析

A 0.09 mm m-plane GaN film is deposited via hydride vapor phase epitaxy （HVPE） on a γ-LiAlO2 substrate. To research the anisotropy between directions with different angles with the c-axis in the m plane, photoluminescence （PL） measurements were carried out. The results show that the electronic transition was influenced by the electric field along the c-axis, which results in an obvious anisotropy, but the influence was weakened by the hexagonal symmetry along the c-axis.     

戊二醛偶联组氨酸修饰金电极测定铜离子的研究

本文主要研究了一种基于戊二醛偶联组氨酸修饰金电极的方法 ,并以该修饰电极为工作电极利用方波伏安法建立了一种检测痕量铜离子的新方法。在铜溶液中搅拌富集 ,铜离子与修饰电极表面的组氨酸形成配合物吸附在电极表面 ,在磷酸缓冲液 (pH 6 8)中 ,该配合物具有良好的电化学响应。在对不同浓度的铜离子进行检测时发现在 1× 10 - 1 2 ～ 1 8× 10 - 1 1 mol/L和 5× 10 - 7～ 2 1× 10 - 5mol/L之间方波伏安还原峰电流与铜离子浓度呈现良好的线性关系 ,其最低检测限可达 0 5× 10 - 1 2 mol/L ,并对可能的检测机理进行了探讨     

10～30 keV二次电子发射系数的表达式

根据二次电子发射的主要物理过程和特性,推导出最大二次电子发射系数(δm)的表达式.还推导出平均每个高能原电子发射的二次电子数(δPE)的表达式.根据δPE、δm和高能二次电子发射系数(δ)之间的关系,推导出以δm、原子序数、原子质量数、物质密度、背散射系数、高能背散射系数、参数A、能量幂次(n)和原电子入射能量为变量δ的通式.用ESTR程序计算出一些材料的10～ 30 keV能量范围内的参数A和n.用该通式计算出δ并与相应的实验值进行了比较,结果表明,成功地推导出金属、半金属和元素半导体10～ 30 keV的δ通式.     

阴极荧光联合分析系统在Ⅲ族氮化物研究中的应用

利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统对几类典型的Ⅲ族氮化物材料进行测试分析.在光谱研究中,利用CL紫外町见光谱系统,对c面蓝宝石衬底上生长的AlxGa1-xN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的激发强度与发光带之间的变化关系.进一步研究了掺Mg的Al0.5Ga0.5N薄膜的带边和杂质能级发光机理.利用CL近红外光谱系统对InN薄膜的阴极发光特性进行了研究,验证了InN实际光学带边E8在0.77eV附近.利用微区分析(CL mapping)系统,可在紫外波段确切地给出材料不同波长的荧光发光区这一特点,对HVPE生长的自支撑GaN衬底进行了SEM和CL微区的对比分析,研究了GaN的位错类型和分布.     

GaN自支撑衬底的化学机械抛光研究

Chemical mechanical polishing （CMP） has been used to produce smooth and scratch-free surfaces for GaN. In the aqueous solution of KOH, GaN is subjected to etching. At the same time, all surface irregularities, including etch pyramids, roughness after mechanical polishing and so on will be removed by a polishing pad. The experiments had been performed under the condition of different abrasive particle sizes of the polishing pad. Also the polishing results for different polishing times are analyzed, and chemical mechanical polishing resulted in an average root mean square （RMS） surface roughness of 0.565 nm, as measured by atomic force microscopy.     

氢化物气相外延生长GaN膜性质研究

利用氢化物气相外延技术在c 面蓝宝石上生长得到纤锌矿结构GaN膜。采用高分辨X射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱对GaN外延膜进行了结构表征和光学性质研究,重点探讨了光致发光谱的温度变化特性。样品(002)面和(102)面摇摆曲线半高宽分别为322和375arcsec,表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。高分辨X射线衍射、拉曼光谱和光致发光谱测试表明,外延膜中存在0.26GPa的面内压应力。变温光致发光谱研究发现GaN外延膜中A自由激子发射峰和施主束缚激子发射峰随温度变化服从能带收缩理论。但由于A自由激子单声子伴峰可能是一种与自由激子动能变化相关的自由激子-声子相互作用的复合机制,导致其峰位呈现先蓝移后红移变化,以及其积分强度出现先增加后降低的现象。     

TiO2纳米粒子的制备及表征

利用溶胶-凝胶法制备了TiO2纳米粒子,并利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、紫外-可见吸收光谱仪和傅立叶转换红外光谱仪对TiO2纳米粒子的形貌、结构和尺寸进行了表征。结果表明:TiO2纳米粒子为近球形,粒径为12~15nm左右的锐钛矿型纳米晶;TiO2溶胶薄膜中粒子均匀分散,有较好的均一性;TiO2纳米粒子表面富氧,含有较多的TiOH基团;TiO2纳米粒子尺寸对反应体系的pH值很敏感;不同尺寸的纳米粒子在紫外区均有较强吸收,并表现出吸收带边蓝移效应。