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铂微粒修饰聚苯胺膜电极对甲酸电催化氧化的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
采用循环伏安法研究Pt盘电极 (Pt)、铂微粒修饰Pt盘电极 [Pt(Pt) ]和Pt微粒修饰聚苯胺膜电极 [PAN(Pt) ]对甲酸电催化氧化行为的影响 ,比较了它们对甲酸电催化氧化的活性 ,发现PAN(Pt)电极对甲酸电催化氧化的表观电流密度为 3 79× 10 2 mA·cm-2 ,分别比Pt、Pt(Pt)和Pt-PDMA/Pt电极约高 2 35、2 5和 6 3倍。峰电位比Pt PDMA/Pt电极约低 0 16V。 相似文献
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主要介绍了一种Cu的CELT加工的化学刻蚀体系和捕捉体系，并通过控制刻蚀时间、刻蚀电流、刻蚀剂浓度、捕捉剂浓度等实验参数和优化电化学模板的制作工艺，以规整的齿状结构为模板，在Cu的表面实现了三维微结构的复制加工，得到了与齿状结构模板互补的三维微结构，用SEM和AFM对实验结果进行了表征，表征结果证明约束刻蚀剂层技术在金属三维加工方面的可行性和潜在优势。金属Cu由于具有优良的导热导电性能以及很好的延展性，在微系统(也称微机电系统)中应用广泛，因此对Cu的刻蚀加工对微系统技术的发展具有重要的意义。约束刻蚀剂层技术(Confined Etch-ant Layer Technique简称CELT)作为一种新型的微加工技术，能够加工复制出复杂三维结构，到目前为止，该技术已成功应用于Si、GaAs等材料微结构的复制加工。 相似文献
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主要介绍了一种Cu的CELT加工的化学刻蚀体系和捕捉体系 ,并通过控制刻蚀时间、刻蚀电流、刻蚀剂浓度、捕捉剂浓度等实验参数和优化电化学模板的制作工艺 ,以规整的齿状结构为模板 ,在Cu的表面实现了三维微结构的复制加工 ,得到了与齿状结构模板互补的三维微结构 ,用SEM和AFM对实验结果进行了表征 ,表征结果证明约束刻蚀剂层技术在金属三维加工方面的可行性和潜在优势。金属Cu由于具有优良的导热导电性能以及很好的延展性 ,在微系统 (也称微机电系统 )中应用广泛 ,因此对Cu的刻蚀加工对微系统技术的发展具有重要的意义。约束刻蚀剂层技术 (ConfinedEtch antLayerTechnique简称CELT)作为一种新型的微加工技术[1] ,能够加工复制出复杂三维结构 ,到目前为止 ,该技术已成功应用于Si、GaAs等材料微结构的复制加工[2 ,3] 。 相似文献
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主要介绍了一种Cu的CELT加工的化学刻蚀体系和捕捉体系,并通过控制刻蚀时间、刻蚀电流、刻蚀剂浓度、捕捉剂浓度等实验参数和优化电化学模板的制作工艺, 以规整的齿状结构为模板, 在Cu的表面实现了三维微结构的复制加工,得到了与齿状结构模板互补的三维微结构,用SEM 和AFM对实验结果进行了表征,表征结果证明约束刻蚀剂层技术在金属三维加工方面的可行性和潜在优势.金属Cu由于具有优良的导热导电性能以及很好的延展性,在微系统(也称微机电系统)中应用广泛,因此对Cu的刻蚀加工对微系统技术的发展具有重要的意义.约束刻蚀剂层技术(Confined Etch-ant Layer Technique 简称CELT)作为一种新型的微加工技术[1],能够加工复制出复杂三维结构,到目前为止,该技术已成功应用于Si 、GaAs等材料微结构的复制加工[2,3]. 相似文献
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