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基于0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS) 图像传感器工艺提出一种新型的低暗计数率(Dark Count Rate)单光子雪崩二极管(SPAD)器件.该器件是利用P+/LNW(Light N-well doping)结检测光子,并通过低浓度的N型扩散圆形保护环抑制边缘击穿,确保其工作在盖格模式.测试结果表明在室温环境下,直径为8 μm的SPAD器件,雪崩击穿电压为14.2 V,当过调电压设置为2 V时,暗计数率为260 Hz,具有低的暗计数率特性.  相似文献   
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进入21世纪,随着农网改造的加快,电力工程特别是输电线路,进入飞速发展阶段。输电线路架设施工及日常运行维护中常与所在地群众发生一些土地纠纷,造成一些问题积压及产生农户上访、围攻等事件,扰乱电力部门正常工作秩序,严重影响电力企业形象。为此,对输电线路运行中出现的涉农问题进行分析,有针对性提出解决方法。  相似文献   
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