LiClO_4·3H_2O晶体的压电性能

本文测量了LiClO_4·3H_2O晶体的压电系数,结果为:d_(33)=5.2,d_(31)=-1.0,d_(15)=0.8×10~(-12)C/N。     

一种新的红外非线性材料-CsGeCl3

氧化物和黄铜矿类半导体化合物因其自身的固有性质使其在红外区域内的应用受到限制。而三氯锗铯（ＣｓＧｅＣｌ３）因透光范围宽,非线性系数高等性质开始受到重视［１］。本文作者采用改进方法成功合成ＣｓＧｅＣｌ３,并对其倍频效应,在不同溶剂中的结晶状况作了一些初步研究。实验结果表明,ＣｓＧｅＣｌ３是一种在红外区域内有应用前景的新材料。     

红外材料Tl3AsSe3晶体的生长

Ｔｌ３ＡｓＳｅ３是一种性能优良的红外非线性和声光材料。我们用元素直接化合的方法制备了多晶料，利用Ｂｒｉｄｇｍａｎ方法生长出了Ｔｌ３ＡｓＳｅ３晶体并对该晶体进行了初步测试。报道了我们的生长方法及有关结果。