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对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了高温反偏(HTRB)、高压反偏(HRB)、高温正向大电流(HFGC)、高温存贮(HTS)4种不同的应力试验。通过HRB,φb从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大,HTS试验中φb从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明,其主要的失效模式为烧毁,同时,SEM观察中也有电徙动及断栅现象发生。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面出现模糊,有明显的互扩散和反应发生。 相似文献
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本文报导了采用质子隔离和Si~+离子注入N~+接触层技术,提高了功率GaAa MESFET的微波性能和可靠性.已经制成栅长1μm,总栅宽600μm的GaAs功率MESFET,12GHz下最大输出功率210mW,经严格考核表明器件具有较高的可靠性. 相似文献
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AMBE-1000声码器及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
AMBE算法在低速率上实现了比传统语音编码方案好得多的语音质量,AMBE—1000是这种算法的固化芯片。本文详细讨论了AMBE—1000的功能、特点和使用方法,并介绍了应用AMBE—1000研制的通信语音记录系统。 相似文献
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三、J准则与用相对密流表示的侵蚀函数1.J准则的局限性用喷喉面积对装药通道末端面积之比来表征发动机的侵蚀程度,就是喉通面积比J。其中A_1为喷管喉部面积。在装药末端到喷喉之间的流动中,按照无质量加入的连续方程其中p~*为临界密度,a~*为临界音速。于是 相似文献
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属性约简是粗糙集理论中的核心问题,为有效进行属性的最小约简,将一种GA-PSO混合算法应用于属性约简。该算法在保证寻优能力的前提下,增加群体的多样性,避免陷入局部最优,同时,在适应度函数中加入罚函数。实验结果证明该算法能有效地进行属性约简,取得良好的约简结果。 相似文献