CMOS异或电路的设计与应用

设计了四种CMOS"异或"单元电路,通过模拟仿真分析了它们各自的性能特点,并讨论了它们在奇偶检测电路、微处理器系统加法器电路以及单片机全加电路等设计中的不同应用.     

增益自适应高频低噪声放大器的单片集成设计研究

高频低噪声放大器(LNA)是无线通讯设备关键器件之一。由于无线通讯设备特别是移动通讯设备使用环境的条件限制,往往需要LNA器件具有自适应增益功能,以保证接收信号的稳定性。拟设计一款具有自适应增益控制的高频LNA单片集成电路,以TSMC 0.18μm的RF-CMOS器件模型和工艺参数,给出一个增益范围在0~17dB、噪声抑制比为0.2dB,适用于DCS1800手机中的1.8GHz增益自适应CMOS放大器电路。     

退火对ZnO薄膜特性的影响与紫外探测器的研制

利用射频磁控溅射技术在SiO2/n-Si和石英玻璃衬底上制备了具有C轴择优取向的ZnO薄膜,研究了退火对ZnO薄膜特性的影响,并在以SiO2/n-Si为衬底、退火温度为900℃的薄膜上制作了Ag-ZnO-Ag肖特基型和Au-ZnO-Au光电导型MSM叉指结构的紫外探测器。所制作的两种MSM紫外探测器在350 nm波长紫外光照下电流增加,在紫外波段有较高的响应度,光响应度峰值在370 nm附近。     

基于斩波技术的CMOS运算放大器失调电压的消除设计

实现传感器系统的高分辨率,要求其内部运算放大器具有低失调电压和低噪声的性能,为此介绍了一种可减少运算放大器的失调电压和低频噪声的斩波技术,并基于该技术进行温度传感器中CMOS运算放大电路失调电压的消除设计,最后通过SPICE仿真分析来权衡电路各参数的设定。     

InP/GaAs低温键合的新方法

通过对 InP/GaAs 异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合。界面电流 电压(I V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流 电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联。同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明 450℃样品的键合强度优于350℃样品。最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨。     

磁控溅射制备五氧化二钒薄膜的研究

采用射频磁控溅射的方法,在不同条件下制备了氧化钒薄膜样品,分别在不同温度条件下做了退火处理,并对退火前后样品做了X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和激光扫描共聚焦显微镜测试与分析,旨在得出制备良好的V2O5 薄膜的条件。     

β-SiC的静态性质和能带结构

在从头计算的LMTO—ASA方法中引用Lowdin微扰法,计算了β-SiC晶体的总能E_(tot),平衡晶格常数α_0,体模量B_0,体模量的压力微商B_0~'和能带结构,计算结果与从头计算的赝势法等的计算结果基本相符,与实验值的偏差合理,但计算量小,进一步证明利用微扰计入空d态影响的LMTO—ASA方法是行之有效的方法。     

片上系统的设计技术及其研究进展

综述了微电子领域中集成电路以及片上系统目前的发展情况,详细介绍了片上系统的设计方法,设计技术及其设计过程中亟待解决的问题,并对其研究进展做了展望。     

CMOS图象传感器技术及其研究进展*

简要介绍了图象传感器的技术原理，比较了CCDs和CMOS图象传感器的技术特点。通过了解单片CMOS图象传感器的系统结构功能与器件类型，分析了单片CMOS图象传感器的性能要求与技术难点，总结出了提高性能所要进一步研究的关键问题。     

悬空纳米间隔电极对的制备并应用于单分子电学性质测量

将普通光刻技术和电化学技术相结合,在微芯片上制备得到了机械可控断裂结法(MCBJ)所需的悬空纳米间隔金属电极对,并分别用热氧化二氧化硅和聚酰亚胺(PI)作为牺牲层使得电极对悬空,明显提高了可控断裂的实验成功率,并延长了微芯片使用寿命.利用分子自组装和MCBJ方法成功构筑了金属/分子/金属结,并实施了对巯基苯胺(BDT)单分子的电学性质测量,得到了BDF的电导值和I-V特性曲线.