Ca-B-Si掺杂对Ba（Zn1／3Ta2／3）O3陶瓷介电性能的影响

采用固相烧结法制备了添加烧结助剂Ca–B–Si（CBS）微晶玻璃的Ba（Zn1/3Ta2/3）O3（BZT）陶瓷。研究了CBS添加量对BZT陶瓷烧结温度和微波介电性能的影响。结果表明,CBS起到助溶剂的作用,添加CBS降低了BZT陶瓷的烧结温度,并改善了微波介电性能。添加2%（质量分数）的CBS时,BZT的烧结温度从纯...     

黑色金属常温磷化发黑

提出了一种新型黑色金属常温磷化发黑工艺，研究了影响膜层质量的各种因素，结果表明，常温磷化发黑集常温发黑和常温磷化二者的优点，磷化发黑膜层是磷化膜与发黑膜协同生长形成的“共生膜”。黑色金属在10－15℃范围内处理6－10min，可以获得防护和装饰性能优良的磷化发黑膜。     

流延工艺对生瓷带结构和微波特性的影响

基于低温共烧陶瓷技术流延工艺的特点,通过研究粘合剂、分散剂和增塑剂等在浆料体系中的力学效应对生瓷带中陶瓷成分颗粒的几何排列及所产生的孔隙排斥等力学特性的影响,以及优化热处理温度对生瓷带的质量损失、延展率和拉伸强度的关系,深入分析了流延过程的关键技术及工艺参数对生瓷带结构和微波特性的影响。研究后提出:通过调整流延浆化浆料中粘合剂、分散剂和增塑剂配比,采用梯度缓变的热处理烘干温度曲线和消除生瓷带累积应力等方法,可明显改善流延工艺过程,最终获得质量稳定、可靠性高和功能满足于微波应用要求的生瓷带。     

Nd掺杂Bi4Ti3O12陶瓷的结构与性能研究

采用固相合成法制备了不同Nd掺杂量的Bi4-xNdxTi3O12(x=0～1.0)陶瓷.采用XRD分析了陶瓷样品的物相结构,采用SEM观察了陶瓷样品的显微结构特征,系统地评价了陶瓷样品的铁电性能.研究结果表明,经1100℃烧结样品结构致密、晶粒均匀.不同Nd掺杂量并未引起物相结构的改变,所有样品均为单一的层状钙钛矿结构.适量的Nd掺入会提升Bi4-xTi3O12陶瓷样品的铁电性能.     

超级电容器电极材料的研究进展

简述了用不同电极材料的超级电容器的工作原理,并在此基础上,着重介绍了国内外在超级电容器电极材料上的研究进展.     

流动注射法测定磷石膏制水泥中铝含量

研究了反相流动注射分光光度法测定磷石膏制水泥中Al2O3含量。通过微波熔样,采用铬天青S作显色剂,抗坏血酸作干扰抑制剂,校正曲线并校正氟干扰。在波长540 nm条件下测定,线性范围为0 g·L-1~1.2×10-3 g·L-1,相对标准偏差为3.1%,回收率为95%~105%。样品测定速度为100样/h。     

腈纶皂化制备电流变液悬浮粒子的研究

为了制备无水电流变液用悬浮粒子,研究了腈纶在碱性条件下的多相水解。详细考察了皂化试剂氢氧化钾的用量,皂化时间和温度等皂化条件对皂化程度的影响;讨论了氰基转化过程。研究结果表明,在皂化初期,腈纶分子链上的氰基转化为酰胺基,然后缓慢转化为羧基。给出了一条制备无水电流变液用悬浮粒子的方法,并初步考察了该类电流变液的控光特性。     

高可靠性发夹型带通滤波器的设计与制作

依据微带发夹型带通滤波器的原理,进行了数学建模,并结合ADS2008的优化仿真功能对滤波器进行了优化设计。根据仿真结果,在高介电常数的陶瓷基板[MgTiO3-CaTiO3-Nd2O3,εr=18,Q·f=65000(7GHz),板厚度0.8mm]上制作了中心频率f0=3.5GHz、带宽为3.25~3.75GHz的滤波器。经测试发现,制得的滤波器具有良好的端口反射特性,可靠性高,基本满足3.25~3.75GHz频率范围内的特殊通讯要求。这表明本研究所用设计方法合理,适合于工程应用。     

间苯二酚-甲醛与Ni(OH)2复合气凝胶结构特性研究

以间苯二酚、甲醛、碳酸氢钠、硝酸镍为原料,采用溶胶一凝胶法和超临界干燥工艺制得间苯二酚一甲醛与Ni(OH)2复合气凝胶,对不同pH值和Ni(OH)2含量的复合气凝胶结构进行研究。通过小角X射线散射实验测量气凝胶的散射强度,分析了复合气凝胶平均粒径、比表面积和分形行为等特性。结果表明：酸性条件比碱性条件下制成的复合气凝胶粒径小,团聚现象不明显;且随着复合气凝胶中Ni(OH)2的质量分数增加,其结构复杂度增加,胶体平均粒径和比表面积均增大。     

Ti-Sn体系合金稳定性及其电子结构的研究

基于第一性原理赝势平面波方法研究了具有不同结构类型的Ti-Sn体系中间相合金的基态性质,包括优化后的形成能、结合能、电荷密度和态密度等.计算结果表明,Ti-Sn体系合金的稳定性随Ti含量的增加而提高,但Ti6Sn5和Ti5Sn3的合金化能力比Ti3Sn、Ti2Sn、Ti2Sn3强得多.Ti-Sn体系合金的态密度显示了成键电子主要由Ti元素的3p、3d轨道电子和Sn元素的5p轨道电子贡献.Ti-Sn体系合金稳定性的差异主要是由于Fermi能级附近低能量区域的单位原子成键电子数不同造成的.