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采用原子层沉积技术制备Al2O3薄膜作为InSb材料介电层,制备了MIS器件,研究了金属化后不同退火温度对界面特性的影响.利用C-V测试表征了MIS(metal-insulator-semiconductor)器件的界面特性,结果表明Al2O3介电层引入了表面固定正电荷,200℃和300℃退火处理可有效减小慢界面态密度...  相似文献   
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