平面型正照射InGaAs探测器光敏面扩大抑制技术的LBIC研究

通过对平面型正照射铟镓砷器件的结构设计,引入小扩散孔扩散、环形遮盖电极、保护环结构抑制器件有效光敏面扩大现象,对器件光敏面进行定义,利用激光诱导电流检测(LBIC)技术研究了不同结构器件光敏面的光响应特性。研究结果表明,通过调节扩散孔尺寸、环形遮盖电极宽度、保护环距离光敏面距离、保护环工作状态等因素可以有效抑制器件有效光敏面扩大现象,对器件光敏面进行精确定义。     

碲镉汞线列光导器件的失效模式及原因分析

针对不同项目研制过程中碲镉汞线列光导器件在筛选测试和应用中出现的失效模式进行了归纳和总结,并综合碲镉汞材料参数、器件结构尺寸、器件物理、器件制备工艺和器件测试等几个方面因素对器件失效的可能原因进行了分析,首次提出碲镉汞线列光导器件的优值因子作为失效判据,为进一步理解碲镉汞线列光导器件的物理机理以及更好优化器件的筛选过程提供了参考,为碲镉汞线列光导器件应用中出现的失效问题提供了分析和解决的方向。     

两种不同方法测试HgCdTe材料少数载流子寿命

通过传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法两种方法对长波、中波及短波碲镉汞材料进行了载流子寿命测试,并对结果进行了比较。通过对比发现这两种方法测得的中波和短波材料的结果相差不大。但是对于长波材料,载流子寿命测试结果相差比较大,主要是因为长波材料寿命比较小,在相同的光激发条件下和偏流下,光电导灵敏度小,从而导致测出的信号小,在拟合的过程中偏差较大,导致载流子寿命相差较大。另外,用两种方法在同一短波材料的不同区域进行测试,传统光电导衰退法在材料电极附近测试结果明显偏小,电极区载流子寿命不到其他部分的50%。说明传统光电导衰退法测试载流子寿命受电极的影响比较大。     

HgCdTe长波红外n-on-p结线列的串音研究

Crosstalk of HgCdTe long-wavelength infrared （LWIR） n-on-p diode arrays was measured using scanning laser microscopy. During the measurement, HgCdTe diode arrays with different diode pitches were frontside illuminated by a He-Ne laser at liquid nitrogen temperature and room temperature. The experimental results show that crosstalk between the nearest neighboring diodes decreases exponentially as the diode pitch increases, and the factors that affect the obtained crosstalk are presented and analyzed. Crosstalk out of the nominal diode area （optically sensitive area） is also measured and discussed.     

渗硼层对SUS304不锈钢耦合变形的摩擦行为的影响

为了模拟成形过程中板带变形与摩擦的耦合作用,采用自{右j的耦合变形的摩擦试验装置研究了SUS304亚稳奥氏体不锈钢带分别与淬回火和渗硼处理的DC53冷作模具钢的往复摩擦行为,分析了钢带试样的塑性变形及相变行为并观察了其磨损表面形貌.结果表明,无论是淬回火亦或是渗硼处理的DC53与不锈钢试样配对摩擦,钢带试样的变形量与时间均呈对数关系;载荷增大,摩擦系数减小,而滑动速率对摩擦系数的影响很小,所有试验条件下摩擦系数均随试验进程表现出逐渐降低后趋于稳定的规律.与淬回火钢配对的不锈钢带的磨损机理以粘着磨损为主,与渗硼层明显改善了钢带的粘着磨损趋向,磨损机理以磨粒磨损为主.冷作模具采用渗硼处理可改善不锈钢冲压成形过程中的粘着磨损问题.