共沉淀法制备富锆PZT粉体及其烧结特性的研究

利用共沉淀法，以硝酸盐为原料，制备出组分均一的PZT95／5型陶瓷微粉，引入反应烧结和热压烧结的方法，经550℃热处理，1130℃热压烧结后，得到致密的PZT95／5型陶瓷材料。同时该材料具有高的击穿场强，为它在爆电换能方面的应用提供了更广阔的前景。     

数字稳速系統的研究

一、系统的原理数字稳速是以单位时间的脉冲数(脉冲频率)作为给定量,而以电机旋转轴单位时间内发出的正比于转速的脉冲数作为反馈量,使这些脉冲同时通过数字比较装置进行数的比较,以数     

256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像

报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012 cmHz1/2W-1.测试了不同钝化方式探测器典型Ⅰ-Ⅴ曲线和探测率,硫化可以减小探测器暗电流,ZnS/聚酰亚胺双层钝化效果最好.并对ZnS/聚酰亚胺双层钝化InGaAs探测器进行了电子辐照研究.256元InGaAs探测器阵列与两个CTIA结构128读出电路互连并封装,在室温时,焦平面响应率不均匀性为19.3%.成功实现了室温扫描成像,图像比较清晰.     

半导体数字稳速系統的研究

本刊66年第2期刊登的数字稳速系统,主要介绍了这种系统的工作原理、参数和方案的确定方法,本文具体介绍用半导体组成的数字稳速系统有关的环节和试验。     

改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声

针对工程研发中发现的两种碲镉汞中波光导探测器1 Kaz下噪声在封装前后变化幅度不同的现象,通过改变背景辐射条件测量得到了两种器件的低频噪声频谱.对两种器件的低频噪声频谱分析表明,噪声大的器件在改变背景辐射条件前后都以1/f噪声为主.为探明较大1/f噪声的来源问题,对器件铟金电极的成份做了SIMS测试.分析测试结果发现,噪声性能较差器件的电极中含有大量的杂质铝及锌,表明由于电极成份不纯带来的接触状况不良是造成器件较大低频1/f噪声的原因.     

抑制甚长波红外传感器光谱响应非线性效应的研究

甚长波红外传感器响应光谱测量的过程中,探测器以及前置放大器均工作于线性工作区是必要的,否则由傅里叶变换光谱仪(FTIR)测得的响应光谱,在某些情况下仪器信号会发生饱和,从而引起响应光谱畸变,直接影响测试结果以及后续的分析工作.文中对利用FTIR测量光电探测器响应光谱时,光谱仪信号的饱和问题进行研究,改进了常规测试方法,提高了测试准确度.     

差頻稳速系統的試驗研究

航空、造船、轉速測量等科学研究工作需要的現代化风洞、离心机、压气机試驗台和各种試驗水池、水筒、轉速計量标准等試驗装置,要求其电气传动系統高精度地稳速,有时还要求有較寬的調速范围和較高的速度給定准确性。在工业生产中造紙机、微电机試驗检查装置也都要求高精度的稳速系統。这些稳速装置的传动系統要求0.1％的     

128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究

报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.