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1937年E.W.Müller[1]发明了场发射显微镜(FEM),直到最近[2],人们一直认为FEM的分辨力只能在2nm上下,因而不能像场离子显微镜(FIM)那样可以分辨原子[3]。我们认为FEM的分辨力在理论上可以接近0.1nm,2nm并不是FEM的理论极限,而是人们在实际上一直未能用FEM所超过的水平。其原因在于人们对FEM成像中空间电荷的影响认识不足。众所周知,场发射电流密度比热发射电流密度大几个数量级,因而场发射电流在尖端前面所形成的空间电荷比较严重。在FEM中,图像是由尖端上电子云分布的投影形成的,空间电荷的存在必然干扰甚至屏蔽表面电子云的分… 相似文献
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能够直观地"看到"半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47mm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。 相似文献
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