激光掺杂和退火的研究

本文报告了用激光照射涂层硅片进行掺杂制造突变 pn 结的实验;形成的 pp~+和 nn~+结构具有良好的欧姆接触。也给出了用激光退火热扩散硅片的实验结果。     

激光对硅片掺杂和退火的研究

集成电路正向高速、高集成度、高可靠性、低成本和低功耗方向发展,正在按比例缩小单元尺寸,因此迫切需要微细加工、薄层外延、低温浅结掺杂。微波二极管、晶体管和太阳电池也需要突变结掺杂,浅结扩散。离子注入虽然已成为低温掺杂的重要方法,但必须解决它所引起的晶格损伤并使注入杂质电激活。我们试图用激光掺杂来制造浅结器件,并做了两个实验。 第一个实验是涂层掺杂。用这种方法可以制造零点几微米的浅结二极管,这一结果对研制微波二极管和浅结集成电路具有重要意义。第二个实验是用激光去退火涂层热扩散片。结果表明,激光退火后,高表面浓度扩散片进一步电激活,使表面掺杂浓度更高;而低表面浓度扩散片由于激光退火时进行再分布,使表面浓度降低,方块电阻上升。     

氢化非晶碳化硅及其光电特性

我们用射频辉光放电分解（ＣＨ４＋ＳｉＨ４）在单晶硅和玻璃衬底上制造非晶碳硅合金膜。通过红外吸收、光吸收、暗电导率和光电导率的测量给出了化学组分、光学带隙、红外光谱、暗电导率、光电导率、掺硼的影响和退火特性。     

激光损伤(LID)吸杂技术

本文比较了各种吸杂技术,详细介绍了芯片背面激光损伤的吸除效果,使MOS电容器载流子产生寿命提高了二个数量级,达10~3μsec。把LID与HCL高温处理结合使用,差不多可以吸附起始衬底和管芯加工中引进的全部金属杂质(Au除外),使Si片表层为清洁区。     

GaAs MESFET的压力敏感特性

本文研究了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ对应力的敏感特性，分析了敏感原理。对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ用作力学量传感器的可能性进行了讨论。     

掺硼对非晶碳化硅膜的影响

试验观测了掺硼对氢化非晶碳化硅膜生长速度，膜的组分，光学带隙，电导率，硬度和结合力的影响。结果证明，用等离子体分解（ＳｉＨ４和ＣＨ４）混合气体制备的α－Ｓｉ１－ｘＣｘ：Ｈ膜能有效的掺杂。硼掺杂可改变光学带隙，电导率和硬度。退火可增加薄膜的硬度和结合力。     

a—Si：O：H钝化膜

本文报道了用等离子放电SiH_4+H_2+H_2O混合气体淀积的氢化非晶硅氧合金膜,均匀、致密、耐腐蚀、半绝缘、电中性、富含氢,是较理想的半导体器件表面钝化膜.兼有SiO_2和a-Si_2H的优点,而又克服了它们各自的缺点.用氢化非晶硅氧合金膜钝化平面晶体管,不仅明显地改善了小电流放大系数,而且放在盐水里浸几个小时后,特性不变.     

硅片背面激光损伤的吸杂效果

本文介绍了硅片背面激光损伤吸杂实验,用金相显微镜观察证实了高温退火后激光损伤的热稳定性,研究了激光损伤对氧化层错(OSF)和载流子寿命的影响,用中子活化分析法测出了吸杂效果。     

射频离子辐射损伤的激光退火

本文介绍了等离子刻蚀和去胶对MOS、MNOS电容器和双板晶体管所产生的辐射损伤的激光退火，用连续CO2激光器从背面照射蕊片，可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱，完全消除辐射损伤，使被损伤的器件特性得到恢复并有所改善，使集成电路成品率明显提高。