激光掺杂和退火的研究

本文报告了用激光照射涂层硅片进行掺杂制造突变 pn 结的实验;形成的 pp~+和 nn~+结构具有良好的欧姆接触。也给出了用激光退火热扩散硅片的实验结果。     

激光对硅片掺杂和退火的研究

集成电路正向高速、高集成度、高可靠性、低成本和低功耗方向发展,正在按比例缩小单元尺寸,因此迫切需要微细加工、薄层外延、低温浅结掺杂。微波二极管、晶体管和太阳电池也需要突变结掺杂,浅结扩散。离子注入虽然已成为低温掺杂的重要方法,但必须解决它所引起的晶格损伤并使注入杂质电激活。我们试图用激光掺杂来制造浅结器件,并做了两个实验。 第一个实验是涂层掺杂。用这种方法可以制造零点几微米的浅结二极管,这一结果对研制微波二极管和浅结集成电路具有重要意义。第二个实验是用激光去退火涂层热扩散片。结果表明,激光退火后,高表面浓度扩散片进一步电激活,使表面掺杂浓度更高;而低表面浓度扩散片由于激光退火时进行再分布,使表面浓度降低,方块电阻上升。     

股份制商业集团内部关系协调浅探

股份制商业集团作为集约化经营的经济组织形式,能否取得应有的经济效益,很重要的因素是取决于集团内部关系是否协调。本文从明确商业集团成员企业间各层次的关系、建立各种联结纽带、理顺经营管理体制、搞好内部利益分配等方面,提出了协调商业集团内部关系的途径。     

有心栽花花不发——企业技改投入中存在的问题及对策思考

工业企业技改投入作为一种推动工业发展的重要手段,目前在我国经济领域中正发挥着日益显著的作用。但在实际经济活动中,部分技改投入项目并没有达到提高经济效益的目的,相反却成了企业的包袱。技改投入的被动性和盲目性、技改投入后期效果考核的软约束、“财政分灶”造成“诸侯经济”的本位性短视投资等深层次的问题也日渐显露,使企业技改投入工作出现了若干问题。     

射频离子辐射损伤的激光退火

本文介绍了等离子刻蚀和去胶对MOS、MNOS电容器和双板晶体管所产生的辐射损伤的激光退火，用连续CO2激光器从背面照射蕊片，可以明显地降低各种MIS结构中的固定电荷和界面陷阱，完全消除辐射损伤，使被损伤的器件特性得到恢复并有所改善，使集成电路成品率明显提高。     

离子注入片的激光背面退火

本文给出了离子注入片背面激光照射退火的实验结果。用CWCO_2激光器和脉冲钕玻璃激光器从背面照射离子注入片进行退火,不仅可以消除注入损伤,使注入杂质电激活,还可以得到注入图形不发生变化的退火效果。激光背面照射退火可在反刻铝后进行,就能避免激光退火后因再经高温热处理而引起的杂质析出;还可以省掉合金工序。背面照射产生的辐射损伤,也有助于萃取正面的微缺陷。     

股份制商业集团内部关系协调浅探

股份制商业集团内部关系协调浅探张仕佑，王和庆，蒋文军（江苏省建湖县商业局，２２４７００）纵观国外商业集团的发展经验以及我国商业集团所走过的十几年路程，商业集团组建起来以后，面临的一个重要问题是如何正确处理商业集团内部的各种关系，进而促使商业集团和谐、...     

激光外延是制造p-n浅结的一种好方法

研究了用激光外延淀积硅薄膜的方法,制备了具有良好特性的p-n突变浅结。 实验样片是以低掺杂的P型硅片作基底,单面抛光,以重掺杂的N型硅为靶,用溅射法在衬底上淀积一薄层重掺杂的非晶硅膜,然后将样片用Ar~+激光器,以一定功率密度和扫描速度正面辐照,或CW CO_2激光器背面辐照,产生外延生长,形成了p-n突变浅结。其结深近似等于淀积硅膜厚度。用四探针测其薄层电阻R_o,激光外延后下降了一个数量级以上,用     

溶析结晶法脱除钛白废酸中硫酸亚铁盐的研究

针对钛白粉工业的废酸,选用乙醇(Et OH)为溶析剂,研究了溶析结晶法脱除钛白废酸中硫酸亚铁盐的可行性。在5~30℃,采用激光检测法系统地测定了七水硫酸亚铁在水、硫酸溶液和醇酸混合水溶液中的溶解度,考察了溶析剂浓度、温度、硫酸浓度等因素对硫酸亚铁盐溶解度的影响。在此基础上,以钛白废酸(含硫酸20%(wt)、七水硫酸亚铁8%(wt)为对象,在搅拌结晶器中考察了溶析剂加入量、加入方式、搅拌速度、晶种和熟化时间等工艺操作条件对硫酸亚铁脱除率的影响。结果表明,以乙醇为溶析剂,可在常温下显著降低硫酸亚铁在硫酸溶液中的溶解度。在醇酸混合水溶液中,硫酸亚铁盐的溶解度主要受溶析剂浓度影响,与硫酸浓度无关。控制适宜的搅拌速度、溶析剂加入速度和熟化时间有助于提高硫酸亚铁的脱除率。适宜的溶析结晶条件为:温度为5~10℃,溶析剂与废酸的质量比1:1,溶析剂加料速度6 m L·min-1、熟化时间60 min。在此条件下,七水硫酸亚铁的脱除率可达到87%~91%。