聚氨酯胶粘剂对木材胶接机理研究I——机械互锁作用对粘接强度的影响

用光滑及砂纸打磨的高密度聚乙烯(HDPE)板模拟木材,用聚氨酯胶粘剂粘接PE板,测出PE胶合板的粘接强度,用表面粗糙的PE胶合板的胶接强度减去表面光滑的PE胶合板的粘接强度.得到机械互锁作用的粘接强度及机械互锁作用对胶接强度的贡献.结果表明,粘接强度随PE板表面粗糙度的增大而增加,揭示了胶接的机械互锁作用机理.     

聚氨酯胶粘剂对木材胶接机理研究Ⅰ——机械互锁作用对粘接强度的影响

用光滑及砂纸打磨的高密度聚乙烯（HDPE）板模拟木材,用聚氨酯胶粘剂粘接PE板,测出PE胶合板的粘接强度,用表面粗糙的PE胶合板的胶接强度减去表面光滑的PE胶合板的粘接强度,得到机械互锁作用的粘接强度及机械互锁作用对胶接强度的贡献。结果表明,粘接强度随PE板表面粗糙度的增大而增加,揭示了胶接的机械互锁作用机理。     

La基高k栅介质的研究进展

SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料。La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程。     

我国木材市场供给现状分析与未来发展建议

我国是世界木材消耗和加工大国,每年都需要大量的木材进口,2014年以来我国木材进口对外依存度持续超过50%。随着全球森林资源减少和生态环境保护措施加大,国际木材贸易形势严峻,这对我国的经济发展、生态安全、国际外交等重大国家建设都造成了很大的障碍。为进一步改善我国的木材培育利用环境、缓解国内木材供需矛盾,行业高层管理部门开展相关银行金融贷款、政策扶持等多种措施建设国家储备林,为国内木材资源培育和利用注入了急需的市场资金动力,为国家木材产业发展、生态安全、新农村建设等都发挥了积极的促进作用。     

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展

介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。     

反相气相色谱法表征PU和PF树脂的表面性质

为了研究胶粘剂的表面性质对木材胶接强度的影响,采用反相气相色谱技术(IGC)测定了聚氨酯树脂(PU)和酚醛树脂(PF)的色散表面自由能γd、表面酸碱常数Ka和Kb,PU和PF的色散表面自由能分别是39.22 mJ/m2和34.38mJ/m2(50℃),PU和PF的酸、碱常数分别是0.1、0.92和0.15、0.57;测试了用PU和PF热压三层杨木胶合板的湿剪切强度分别是1.74 MPa和1.18 MPa。结果表明,PU的色散表面自由能大于PF,PU和PF表面均呈路易斯碱性特征,但PU碱性更强,对多数表面酸性占优势的木材胶接强度更大。     

Ⅱ一Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展

介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题.引进新型掺杂理论--动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度.最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向.     

Si纳米线及其器件研究进展

Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分析各种方法制备纳米线的优缺点。还介绍了Si纳米线所制备纳米器件的电学、电子输运等特性,说明了掺硼、掺磷纳米线分别具有p型、n型半导体特征。最后介绍了Si纳米线在电子器件、纳米线电池、传感器方面的相关应用。     

Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展

介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。