Effect of Cerium on Microstructures of Hard Alloys

Microstructures and crack extending characteristic of the YG8R,YT5R and YT14R hard alloysadding a trace cerium were studied by AEM and HVEM with a tensile holder.In the hard alloys addingcerium,the compounds of Ce_2O_3 or Ce_2O_2S could be formed,extending of stacking faults and transforma-tion from fcc Co to hcp Co were suppressed,volume fraction of fcc Co in the alloys was increased,andstrength of Co and(TiW)C phases and grain boundaries were raised.Plastic deformation in Co phase nearedges of the tensile cracks was more strong,and the tensile cracks could pass through some smaller WCgrains.     

掺杂机制的电子能量损失谱（EELS）研究

近年来宽禁带半导体的研究发展十分迅速。P型掺杂及稀磁掺杂问题都是目前研究的热点。例如：氧化锌（ZnO）的P型掺杂，氧化锌、氮化镓的过渡金属元素掺杂等等。虽然实验上取得了一定的进展，但其掺杂机制并不十分清楚。尽管理论上已经有很多相应的掺杂模型，但如何从实验上确定实际样品中杂质原子所处的原子位置并不容易，因而理论模型也就难以得到验证。在本工作中，我们给出一种电子能量损失谱理论计算和实验相结合来确定杂质原子所处的原子位置的方法。这种方法并不仅仅局限于对掺杂机理的研究，还可以推广到其它缺陷的研究，如：空位、界面、位错等。     

LnBaB9O16：Eu^3＋（Ln=La,Y）的结构与荧光性质

利用电子衍射,X射线衍射和荧光光谱等方法研究了LnBaB0O16(Ln=La,Y)的结构特性,LnBaB9O16为单斜晶系,其中LaBaB9O16的晶胞参数a=1.3660nm,b=0.7882nm,c=1.6253nm,β=106.15°,YBaB9O16的晶胞参数a=1.3476nm,b=0.776nm,c=1.6040nm,β=106.38°,荧光光谱研究表明,这两种化合物结构不同,Y^3 在YBaB9O16结构中处于中心对称格位,而LaBaB9O16中La^3 的格位则无中心对称性,Gd^3 部分取代LaBaB9O16:Eu^3 中的La^3 可改善Eu^3 离子的发光性质,LaBaB9O16:Eu^3 在真空紫外区的吸收比较弱,这可能与硼氧比较小有关。     

Si3N4基微米/纳米复合陶瓷微观组织＊

用扫描电镜和透射电镜研究纳米粉成分和含量对Si     

基于Ti掺杂硅量子点的MOSFET结构的电子显微学表征

通过自组装生长并结合两步退火处理,在SiO2表面得到了Ti掺杂的Si纳米晶粒量子点.采用高分辨显微分析方法,X射线能谱线扫描和Z衬度扫描透射显微方法对一系列横截面样品进行详细研究,得到了量子点内部的成分分布,相关的试验数据吻合一致,验证了Si量子点MOSFET的结构模型.     

晶态Si3N4／非晶SiO2同轴纳米线的电子显微学研究

Si3N4是一种用途广泛的功能材料，Si3N4纳米线有望在电子、光学和机械领域展现其特殊性能：在没有催化剂情况下，我们在硅衬底上直接合成了Si3N4／SiO2同轴纳米线。生长条件：氮气氛．生长温度1250℃．1.5h，自然冷却。利用电子衍射、高分辨像和电子X射线能谱技术，我们用Tacnai F30场发射电子显微镜研究了Si3N4／SiO2同轴纳米线的微观组织结构，探讨了这种纳米线的生长机制。     

Ti－Ni形状记忆合金焊接金相组织观察

Ｔｉ－Ｎｉ形状记忆合金焊接金相组织观察卓忠玉，尤力平，郭锦芳（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：Ｔｉ－Ｎｉ合金，焊接，金相有关Ｔｉ－Ｎｉ形状记忆合金已做了大量的研究工作，一般来说，新材料的开发是实用化的过程，而焊接加工技术是开发新材料走向实用...     

超精细纳米结构加工技术

利用高能会聚电子束的辐照损伤能力,在300 kV高分辨透射电镜中成功加工出小于5 nm的超精细纳米结构.加工精度在特征尺寸和空间位置上可同时达到一个纳米.加工的纳米结构具有原子尺度的边界,并可以通过高分辨像直接监视纳米结构的形成过程.这种技术可以广泛应用于各种无机材料,尤其适用于无机化合物.结合自动控制,这种技术可以用于加工任意复杂的二维纳米结构.     

ZnO纳米棒中结的透射电镜研究

本文采用化学气相沉积法制得大量ZnO纳米棒,利用会聚束电子衍射(CBED)研究了纳米棒的生长方向,验证了纳米棒在生长过程中产生碰撞.通过TEM研究发现,纳米棒沿c轴生长,碰撞形成的晶界并不是一个随机取向的大角晶界,为了降低能量,晶界具有孪晶关系.晶界的存在导致晶体产生缺陷生长,使纳米棒的结的附近区域长粗.