多层金属-n型4H-SiC的欧姆接触

研究了热退火条件下Au/Ti/Ni-4H-SiC欧姆接触形成机制.通过950 ℃下的快速热退火形成的最低欧姆接触电阻为2.765×10-6 Ω·cm2.SIMS分析表明退火过程中NiSi化合物的形成会带来SiC内部多余C原子的溢出,并在接触面上与Ti形成间隙化合物TiC.这一过程造成接触表面存在由大量C空位形成的缺陷层从而增强了表面间接隧穿.通过界面能带结构图直观地解释了欧姆接触在热退火条件下的形成机制.     

表面栅BSIT的栅源低击穿问题研究

通过对DX0231型BSIT栅源低击穿问题的分析,讨论了设计、材料、环境、设备等因素对表面栅BSIT栅源击穿的影响,指出了提高栅源击穿的努力方向。     

YANKEE DOODLE 病毒的分析与防治

本文剖析了Yankee Doodle病毒的工作机理,分析了病毒程序的流程,并结合流程说明Yankee Doodle病毒的特性、危害、传播机制和反跟踪措施等,最后给出了预防和消除这种病毒的方法,同时对读者分析其它病毒,寻找诊治方法也有一定的借鉴。     

用地质统计模型改进低渗油藏的储层特征化方法

本文景将现代地质统计油藏特征化方法应用于复杂低渗气藏的一个矿场应用实例。用该方法作多井历史拟合明显好于以往方法，用这种方法使打加密井的机会大大增加。而且，这些加密井的成本降低，经济效益更好。     

新型亚纳秒高功率半导体开关器件

介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件--快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理.采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件.FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小.单个FID器件工作电压＞2 kV,导通时间＜1 ns,工作电流高迭10 kA,抖动＜20 ps,di/dt超过100 kA/μs,重复频率400 kHz.具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲.FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景.     

铁—锰系列无钴黑釉的研制

介绍了以景德镇当地的红粘土和页岩为主要原料,配以废干电池中的二氧化锰研制出廉价无钴黑釉的新思路和方法,通过一系列试验及对该釉性能的测试。证明了该釉具有较好的适应性和热稳定性。同时也指出了用该思路研制的黑釉具有良好的经济和环保意义。     

YANKEE DOODLE病毒的分析与防治

本文剖析了Yankee Doodle病毒的工作机理,分析了病毒程序的流程,并结合流程说明Yankee Doodle病毒的特性、危害、传播机制和反跟踪措施等。最后给出了预防和消除这种病毒的方法,同时对读者分析其它病毒,寻找诊治方法有一定的借鉴。     

特种快速大功率半导体切断开关的研制

介绍了大功率半导体切断开关(SOS)的工作原理和研制结果.面积为0.28 cm2的开关(59只串联)在300 Hz连续工作模式中,切断电流为1.9 kA,电流切断时间为9.56 ns;在1 000 Hz猝发工作模式中,切断电流为1.73 kA,电流切断时间为10.86 ns;在负载为470 Ω的耐压试验中,开关输出的高压窄脉冲的幅值为270 kV,宽度约为10 ns.     

新型亚纳秒切断半导体开关器件研制

介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。     

SUNDAY病毒的剖析与诊治

本文剖析了SUNDAY病毒的工作机理,分析了病毒程序的流程,并结合流程说明SUNDAY病毒的特性、传播机制以及危害作用.由于该病毒是由JERUSALEM—B演变而来,因此在传播机制部分有选择地给出了对比说明.最后给出了预防和消除这种病毒的方法.