链状结构金属钴单质亚微米粒子的制备及磁性能研究

以氯化钴,水合肼为起始原料,乙二醇为溶剂,采用溶剂热法制得链状结构的金属钴亚微米粒子。通过X射线粉末衍射（XRD）,透射电子显微镜（TEM）,扫描电子显微镜（SEM）等对制样品组成、形貌和结构进行了表征。结果表明,制得的样品为六角堆积（hcp）结构的钴单质,所得的粒子呈链状聚集状态,长度10um～15gm,构成长链的次级结构为球形,尺寸在400nm-800nm。采用振动样品磁强计（VSM）测试了样品的静磁性能,饱和磁化强度（MD、剩磁（Mr）和矫顽力（Hc）分别为163．76emu／g,12．88emu／g和104．20Oe。同时简要探讨了链状结构的钴亚微米粒子形成机理,初步认为链状结构的形成过程是一个络合-还原-成核-组装的过程。     

氧化锌半导体薄膜的发光光谱特性

用直流反应溅射方法在Ｓｉ（１００）基片上生长出具有六角晶型的ＺｎＯ薄膜．测量了样品的阴极射线发光特性及其与薄膜晶体结构的关系．在所有测量样品中均观察到较强的绿带（５２０ｎｍ）发射,随着薄膜单晶程度的提高,光谱中开始出现蓝带（～４５０ｎｍ）,并在类单晶薄膜中看到了强度大于绿带的近紫外谱带（３９０ｎｍ）;它的强度随着阴极射线电子束流密度增加而迅速增加．根据ＺｎＯ中激子的结合能数据,推测紫带发射来源于ＺｎＯ的激子跃迁．实验结果说明,通过改进薄膜的结晶状况可进一步增强ＺｎＯ薄膜的短波长发光     

氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性

报道了用直流反应溅射法制备的氧化锌薄膜的近紫外发射以及热处理条件对受激发射谱的影响。同时用化学反应辅助掺杂方法生长了 p型和 n型 Zn O薄膜 ,研究了 Zn O/ Si异质结和氧化锌同质 p-n结的电压 -电流特性 (I-V特性 )     

含氧量对NiOx薄膜光电特性的影响

采用直流溅射方法制备了厚度小于０．１μｍ的ＮｉＯｘ薄膜，研究薄膜的加热氧化及其光电特性，测量了它们的透射光谱和电阻率随薄膜中的氧一及热处理温度的变化。