面向亚阈值的脉冲生成电路设计

基于SMIC 130nm工艺,提出了一种新的面向亚阈值的脉冲生成电路.设计中采用三输入与非门作为延时单元,更好地平衡单元的上拉延时和下拉延时,提高了延时路径的稳定性.新结构脉冲生成电路功能不受工艺偏差和温度变化的影响,在0.3V工作电压,不同工艺角以及-40~125℃温度范围内都能生成稳定可靠的脉冲信号.     

方波函数式进料对膜污染影响研究

采用方波函数式进料,通过在膜组件入口处增设函数控制器控制料液在膜内呈现周期性流动。与连续稳定流体进料相比,方波函数式进料膜通量下降的速率低。在占空时间9 s运行4 s时膜比通量最大,在过滤1 h后仍能保持在0. 85以上,很大程度上提高膜通量,减轻了膜污染。过滤前后料液的浊度分别为3. 18 NTU及0. 145 NTU,说明超滤膜对污水中的悬浮颗粒物质有极好的截留作用。将膜丝进行扫面电镜测试表明,函数进料处理后膜截面仍然光滑,膜表面沾附有细小颗粒,但没有产生滤饼层。     

煅烧温度和燃烧剂及助剂用量对TiO2光催化性能的影响

为了找出自蔓燃制备TiO2光催化剂的最佳奈件,本文以TiO（NO3）2为前驱体,以前躯体用量、燃烧剂柠檬酸和硝酸铵的比例、煅烧温度为主要考查因素,通过正交试验制备TiO2并进行亚甲基蓝的光催化降解实验。结果表明,自蔓燃工艺制备的TiO2粉体具有松散、多孔的特性;正交试验选出最优制备条件为：煅烧温度在550℃,n（TiCl1）：n（柠檬酸）：n（硝酸铵）=1：1：3,最优条件下的TiO2比不采用此工艺制备的TiO2的降解率提高了13．28％;最大光降解速率比不采用此工艺制备的TiO2的速率提高了58％。     

酒类标准物质的研究与应用现状

在全面检索国内外酒类标准物质的基础上,介绍了国内外酒类标准物质研究现状,分析了我国酒类标准物质发展中存在的问题和与国际标准物质研究的差距,提出了今后我国酒类标准物质研制的重点方向:涉及到卫生检测指标的白酒、啤酒、红酒标准物质,酒中金属离子形态分析的标准物质,地理性标志产品的酒标准物质及酒类风味标准物质.     

高纯氩气中微量氮的(PDHID-GC)测定方法

针对高纯氩气中存在着微量氮难以分析的问题,采用脉冲放电氦离子检测器气相色谱法(简称PDHID-GC)测定氩气中微量氮.该方法采用六通阀进样,检测器温度250℃,高纯氦气做载气,氮浓度在5 μmol/mol～50 μmol/mol时,标准曲线线性良好,测定了氩气中微量氮气体标准物质GBW 06309,结果与标准值基本一致,表明该方法操作简便、准确度高.     

甲烷中四氢噻吩气体标准物质制备及应用

目的为天然气加臭剂的测量活动提供可追溯性,以保证检测结果的准确可靠。 方法采用称量法研制了摩尔分数为1.00~20.00 μmol/mol的甲烷中四氢噻吩气体标准物质,考查了该气体标准物质的均匀性和稳定性。依据该标准物质建立了硫化学发光检测器气相色谱仪(GC-SCD)测定甲烷中四氢噻吩的方法。 结果制得的气体标准物质相对扩展不确定度为2%,k=2,国家标准物质证书编号为GBW(E)062460,采用GC-SCD测定甲烷中四氢噻吩的方法,在摩尔分数为0~5.00 μmol/mol的范围内,线性良好,相关系数r=1.000,检出限低至0.03 μmol/mol,并应用于天然气样品的测试,7次测量的相对标准偏差为2.1%~3.4%。 结论基于有证标准物质进行量值溯源的GC-SCD测定甲烷中四氢噻吩的方法准确可靠,为天然气中加臭剂四氢噻吩的测量提供技术保障。      

甲苯中苯标准物质的研制

以甲苯和苯为原料,采用称量-容量法研制了浓度为5 mg/mL的甲苯中苯溶液标准物质。所研制的标准物质通过均匀性检验、稳定性检验和与GBW(E)130101的比对,标准值的相对扩展不确定度为3%(k=2),有效期限为24 m。     

如何做好量值溯源工作

检测/检验机构工作的核心就是为用户提供可靠、准确的测试结果,而量值溯源的目的就是确保检测结果的可靠、准确和统一.所以,做好量值溯源工作是实验室的一项重要工作,也是评审准则当中一项不可缺少的要素.本文就量值溯源工作的概念、要求、实施及应注意的问题进行了简要阐述,为广大实验室提供参考.     

输电线路相差保护新原理

相差纵联保护具有区别电力系统振荡与短路的优越性能,但传统相差保护在内部故障时灵敏度易受负荷电流和过渡电阻的影响,且应用于双回线或环网时其性能受线路分布电容影响,在外部故障时保护可能误动。基于无损线路分布参数模型及故障分量保护原理,提出了新型相差保护原理。理论上保护性能不受负荷电流和过渡电阻的影响,且完全杜绝了外部故障时保护误动的可能性,极大地提高了保护安全性,且各种内部故障时可靠动作。理论分析表明所提原理适用于各种故障类型,其性能不受故障电阻及系统运行状态等的影响。大量的仿真也证明了该原理的正确性。     

一款采用低电压技术的320mv,6kb的亚阈值10管SRAM

本文提出了一种新型的亚阈值10管SRAM单元,在130nm工艺下,本设计的SRAM容量 为6kb,最低可以工作在320mv的电压下。同时一系列的低电压的技术被运用到本SRAM的 设计中,使其能够工作在亚阈值电压下。反短沟效应和反窄沟效应提升了SRAM性能。新型 的脉冲产生电路产生理想的亚阈值脉冲,使得读操作更稳定。浮动的写位线有效地减小了待 机时的漏电。短的读位线使得读操作速度更快和更低功耗。最终流片后的测量表明这系列技 术在亚阈值区都是非常有效的,SRAM在320mv的电压下,工作频率800KHz,消耗功耗 1.94uw。