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应用一种改进的片上线性度测试方法来对上海华虹宏力半导体制造有限公司生产的SiGe HBT进行测试,得到了一个较好的测试结果,同时对其线性度随偏置情况的变化以及引起变化的机制进行了分析和讨论。通过分析表明:在集电极偏置电流较小时,SiGe HBT的线性度主要受器件跨导和雪崩倍增效应的限制;在中等大小的集电极偏置电流下,SiGe HBT的非线性主要由集电结势垒电容所产生;在大的集电极偏置电流下,大电流效应是产生非线性的主要原因。 相似文献
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针对当前射频芯片性能不断增强和应用日益广泛的现状,同时为了满足5G射频芯片测试需求,结合当前国际先进芯片自动测试技术,重点对国产芯片自动测试系统射频测试模块开展设计。通过对当前市场常用射频芯片以及5G射频芯片测试需求研究,通过采用小型化设计优化矢量信号收发模块的性能;为解决测试频率不断升高带来的问题,设计中采用模块化变频设计来拓展芯片测试频率范围;同时设计4个射频信号通道,每个通道具有4个射频端口,最大能够对16个被测件进行测试,显著提高芯片测试效率。该系统能够完成50M-12GHz矢量信号发射和分析,同时具有噪声系数测试,S参数测量,双音信号生成等功能。 相似文献
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