工艺参数对氢气泡动态模板法制备多孔铜薄膜微观形貌的影响

以阴极副反应析出的氢气泡为动态模板,在由60g/L CuSO_4·5H_2O、90g/L硫酸、60~90g/L聚乙二醇(PEG)和0~40mg/LNaBr组成的电解液中电沉积30s,制备了锂离子电池用三维多孔铜薄膜。研究了电流密度、镀液温度以及添加剂NaBr和PEG的用量对制备铜薄膜孔径和孔壁质量的影响。结果表明,电流密度在3~5A/dm2范围内才能制得三维多孔结构,增大溴离子浓度和升高镀液温度都可扩大孔径,孔壁结构也会变得更加致密。     

超疏水性铜表面处理技术的研究

在电解法制备的低轮廓铜箔表面,采用一种特殊的表面处理工艺和粗化添加剂制备出具有类似荷叶表面微观结构的铜表面。铜表面的超疏水效果良好,静态接触角达到153.6°。该制备方法以目前的电解铜箔生产线为基础,具有操作简单、控制容易、成本较低、条件温和等优点,非常适合连续化生产。该方法可推动超疏水性铜在实际生产中的广泛应用。     

国产算法安全芯片与市场应月

随着信息技术的发展,物联网进程逐渐加快,信息安全工作愈加重要。安全芯片可以应用在信息系统安全的各个方面,安全芯片具有更高的安全性和其他方案不可比拟的优点;国家密码管理局颁布的国密算法具有安全性和制度性两方面优势。因此,将国产算法与安全芯片技术相结合,采用国产算法的安全芯片必将在信息社会各领域中得到广泛应用,并具有巨大的市场前景。     

坚持制度推动技改深化节能

要搞好研究所的节能工作，必须坚持抓教育，抓制度；健全组织，稳定机构；重视技改，注重实效。     

具有不可链接性的无线通信匿名认证

客户端-服务器认证协议的匿名性指服务器能够认证客户端的真实性,但无法获知客户端的身份。针对认证协议提出了新的安全性需求—不可链接性,该性质是对匿名性的有益补充。对已有文献中的认证协议进行修正,使其在不降低认证效率的前提下满足不可链接性。修正后的方案同时提供身份保护性、不可链接性、双向认证、密钥协商、密钥更新、会话密钥的后向保密性以及客户端的口令修改功能。     

印制板用电解铜箔后处理工艺的研究

研究了一种新的印制板用电解铜箔后处理工艺,依次进行电镀Zn—Ni基三元合金、铬酸盐钝化、浸有机膜等。给出了电镀Zn—M基三元合金和铬酸盐钝化的工艺参数,并对各影响因素进行了分析。对经过上述工艺处理的电解铜箔进行了性能测试,结果表明,经过该工艺处理的电解铜箔的耐蚀性、耐热性和与印制板基体的结合强度等均有明显提高,铜箔的抗剥强度为2．15,劣化率为1．38％。     

铜箔制程对CCL及PCB要求的应对

PCB和CCL行业的高速发展,对作为其基础材料的铜箔提出了更多要求。铜箔必须同时满足PCB和CCL的多项性能要求,这给铜箔生产商带来了严峻的技术挑战和难得的发展机遇。从铜箔生产制成控制原理、方法和实际管控等方面,讨论铜箔如何应对CCL和PCB高度发展要求。     

防范中间人攻击的可信网络连接协议改进*

可信网络连接协议作为可信计算框架中的核心技术,存在中间人攻击的安全威胁。为了解决中间人攻击问题,优化了Diffie-Hellman密钥交换协议,提出了基于数字签名及签名验证的端到端协议。与现有协议相比,提出的方案解决了可信网络连接中的中间人攻击问题,提升了网络安全性。     

电解铜箔生产中电镀铬与电镀镍钼合金的性能对比

对电镀镍钼合金代替六价铬电镀工艺进行了研究,测试了表面处理前后电解铜箔在高温(180°C)和常温下的抗拉强度及延伸率,对比研究了电解铜箔表面电镀铬和电镀镍钼合金后的耐高温(180~210°C)氧化性、常温(80°C)抗氧化性能,以及蚀刻后或蚀刻加盐酸浸泡30 min后的剥离强度和劣化率。研究发现,表面处理不会影响电解铜箔的延伸率和抗拉强度。电镀镍钼合金试样的高温抗氧化性比电镀铬好,常温抗氧化能力以及耐酸碱腐蚀性能与电镀铬试样相当,蚀刻后的剥离强度和劣化率稍低,但仍符合浸于盐酸前后的剥离强度都不低于1.80 N/mm、劣化率小于5.0%的生产要求。本研究为电镀镍钼合金代替电镀铬工艺的实现提供了依据。     

基于XTR机制改进的直接匿名认证方案

现有的直接匿名认证方案吸取了群签名、身份托管、证书系统等技术来实现匿名证明,存在着执行效率慢、安全性差等缺点;而新型XTR公钥密码体制运算速度快,安全性强。基于XTR公钥密码体制,采用零知识证明的思路,改进了目前的直接匿名认证方案,经分析论证,与原机制相比,新方案的安全性和执行效率均得到明显提高。