超疏水性铜表面处理技术的研究

在电解法制备的低轮廓铜箔表面,采用一种特殊的表面处理工艺和粗化添加剂制备出具有类似荷叶表面微观结构的铜表面。铜表面的超疏水效果良好,静态接触角达到153.6°。该制备方法以目前的电解铜箔生产线为基础,具有操作简单、控制容易、成本较低、条件温和等优点,非常适合连续化生产。该方法可推动超疏水性铜在实际生产中的广泛应用。     

电解铜箔黑化用电镀钴–锌合金工艺

采用硫酸盐钴–锌合金镀液对电解铜箔进行电镀黑化处理。研究了镀液中钴离子、锌离子和黑化剂(由硫氰酸钾、柠檬酸、乙醇酸等组成)的含量以及工艺参数对镀层颜色的影响。得到最优的钴–锌合金电镀工艺为:Co~(2+)6 g/L,Zn~(2+)0.4～0.6 g/L,黑化剂50 m L/L,p H=1.5～1.9,温度40°C,电流密度10 A/dm~2,时间8 s。经该工艺处理的铜箔的L~*为28.9,具有良好的结合力和蚀刻性。     

铜箔制程对CCL及PCB要求的应对

PCB和CCL行业的高速发展,对作为其基础材料的铜箔提出了更多要求。铜箔必须同时满足PCB和CCL的多项性能要求,这给铜箔生产商带来了严峻的技术挑战和难得的发展机遇。从铜箔生产制成控制原理、方法和实际管控等方面,讨论铜箔如何应对CCL和PCB高度发展要求。     

高精细线路用铜箔表面处理工艺探讨

本文简要介绍高精细线路用的电解铜箔表面处理工艺的发展趋势．探讨多元合金组分及工艺条件对铜箔耐高温、防侧蚀等性能的影响。通过图解详细的说明了多元合金工艺的机理．提出一种提高电解铜箔性能的新工艺。     

挠性印刷电路板用超低轮廓铜箔的表面处理工艺

研究了挠性印制电路板(FPC)用超低轮廓(VLP)电解铜箔的表面处理工艺.在硫酸铜与硫酸的混合电解液中,以连续旋转鼓状钛筒为阴极,在50～80A/dm<'2>的电流密度下电沉积得到12μm厚的铜箔,再以(20±0.1)m/min的速度对铜箔进行表面处理:在其光面进行分形电沉积铜,然后电沉积纳米锌镍合金,再经过三价铬钝化...     

高精电解铜箔环保型表面处理工艺研究

采用锡酸钠、氯化锌、氯化镍做主盐,对印制电路用高精电解铜箔表面进行分形电沉积铜,再在碱性条件下电镀锌–锡–镍三元合金。避免了传统工艺中电解铜箔表面后处理使用砷的氧化物对环境的危害。结果表明:经本工艺处理的电解铜箔的合金镀层中锌含量为52%~70%、锡含量为10%~34%、镍含量为10%~28%,达到了传统表面处理工艺下镀层对耐腐蚀性、耐热性等指标的要求。该锌-锡-镍合金电镀溶液稳定,成本低,污染小,操作简单,工艺范围宽,对设备的腐蚀性小。目前,该工艺已进行了连续的工业化试验,具有良好的应用前景。     

低轮廓电解铜箔制备工艺参数的优化

采用直流电沉积法制备了低轮廓电解铜箔，在仅以明胶作为添加剂的情况下研究了钛基体(阴极)表面粗糙度、电流密度、硫酸质量浓度、铜离子质量浓度、电解液温度等工艺参数对铜箔表面形貌及粗糙度的影响。确定最佳的工艺条件为：钛基体表面粗糙度(Rz)1～2μm，电流密度4.0 A/dm²，硫酸100 g/L，铜离子60 g/L，电解液温度37°C。所得铜箔表面形貌良好，粗糙度(Rz)小于1.8μm。     

PEG和MPS对电解铜箔结构和力学性能的影响

针对目前工业生产中电解铜箔力学性能较差的问题，采用直流电沉积法制备18μm厚的电解铜箔。探究了在基础电解液(由Cu²⁺100 g/L、硫酸110 g/L和盐酸40 mg/L组成)中单独添加或同时添加聚乙二醇(PEG)和3-巯基-1-丙烷磺酸钠(MPS)时对铜箔微观形貌、力学性能和晶相结构的影响，并分析了二者对Cu²⁺电沉积形成铜箔过程中成核的影响。结果表明，PEG和MPS协同作用可以显著提高初始阶段的成核密度，减少气孔等缺陷，令铜箔的致密度和表面平整性得到改善，抗拉强度大幅提升。当同时采用2.0 mg/L MPS和1.2 mg/L PEG作为添加剂时，得到的铜箔力学性能最优，抗拉强度和延伸率分别为425 MPa和5.3%，相比于无添加剂时分别提高了57%和60%。