第VI族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究

采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线。高分辨电镜分析结果表明：合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴四[001]方向生长。结合光刻、电子束刻蚀技术,分别翻备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件（FET）。对器件测试的结果显示：硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30．7,70cm^2V^-11s-1。这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义。     

空间级硅橡胶的研究

由于宇航空间的高真空及高低温交变的协同作用,对飞船上使用的密封材料提出了一个热真空脱气的指标。本文测试了商品硅橡胶(包括高温固化、室温固化及低温固化三种类型)的热真空失重,发现均超过空间级规定指标,经分析鉴定指出,硅橡胶在热真空环境下逸出的低分子物为生胶中所含有的环状聚硅氧烷。为此采用了热真空及溶剂处理的方法,以     

猕猴桃籽油软胶囊研究

研究了猕猴桃籽油超临界CO2 萃取的操作条件与保健软胶囊生产工艺 ,并对软胶囊进行了安全性评价试验与保健功能评价试验。结果表明 ,该产品具有辅助降低血脂和延缓衰老等功能。     

有机电致发光材料研究进展

本文综述了有机电致发光材料的研究进展 ,重点介绍了聚合物电致发光材料的研究 ,并对这个领域存在的问题和有机电致发光材料的应用前景作了评述     

Optoelectronic properties of new functionalized heteroleptic iridium complex

A new functionalized heteroleptic iridium complex coordinated with 1-phenylisoquinoline(1-piq) and a functionalized β-diketone(G1),Ir(1-piq)2G1,was synthesized and characterized by 1H-NMR,mass spectrometry and elemental analysis.The larger conjugation of the replacement of acetylacetone(acac) by a functionalized β-diketonate ligand led to a significant decrease in the HOMO level toward vacuum level,while Ir(1-piq)2G1 and Ir(1-piq)2(acac) showed red phosphorescent emissions of about 620 nm in dichloromethane...     

有机高分子导体——聚乙炔的合成、结构性能及应用

<正> 传统的有机化合物由于其分子间相互作用很弱,一般都是绝缘体。五十年代初人们发现一系列有机化合物具有半导性;六十年代合成出一些具有特殊晶体结构的电荷转移复合物,其室温电导率与金属的非常接近;七十年代初     

基于HD66773的TFT OLED驱动电路的设计

介绍了用驱动TFT LCD的HD66773芯片驱动5cm(2in)TFT OLED的电路设计．通过对芯片做出合理的特殊设置,最终可以显示出8种颜色,达到初步点亮TFT OLED的目的．并给出了初始化软件流程和MCU接口。     

基于氟代喹喔啉的共轭聚合物及其光伏性能

氟代喹喔啉(FTQ)是一种氟代结构的受体单元,可以用于构筑D-A型聚合物,并应用于聚合物太阳电池的给体材料。文中探索了一种新的起始原料合成氟代喹喔啉单体,并分别和齐聚四噻吩单体(4T)、单噻吩单体(1T)共聚,得到了2个新型聚合物PFTQ-4T和PFTQ-1T,表征测试了它们的相对分子质量、热性能、紫外吸收、能级结构以及光伏性能。2个聚合物的能量转化效率分别为0.73%和1.28%,较低效率主要是2个聚合物较低的LUMO能级所导致。     

表面活性剂掺杂的聚芴类蓝光器件

用PVK作空穴传输／电子阻挡层．提高了ITO／PEDOT／PVK／PDOF／Ba／Al器件的发光效率，但器件的启亮电压也增加。同PDOF单层器件相比，相同驱动电压下双层器件的电流明显减小而器件的发光效率却提高。在芴均聚物(PEOF)和芴共聚物(PF10T)中掺杂Li—NPTEOS表面活性剂可以提高器件的EL效率，有效地抑制EL光谱红移现象。掺杂浓度在10％～20％(质量分数)，PVK作为电子阻挡层的蓝光器件的EL效率可达1％。掺杂引起的PFO能级的改变降低了空穴注入的势垒高度．使电子和空穴注入趋于平衡以及在电场作用下Li-NPTEOS的偶极取向作用可能是提高量子效率、降低启亮电压和工作电压的根本原因。     

第Ⅵ族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究

采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线.高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长.结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET).对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为P型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1 s-1.这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义.