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基于正激变换器结构,设计了一种实时自适应前沿消隐电路。通过振荡时间消隐和振荡幅度消隐,对最优消隐时间进行追踪,实现实时自适应的前沿消隐,在保证消隐可靠性的基础上降低了系统体积与成本,并确保不限制电路高频化发展。设计的前沿消隐电路能获得消除尖峰振荡的输出电流信息,保证系统能对输出负载变化做出快速响应。基于0.18 μm BCD工艺,对电路进行设计。仿真结果表明,该电路在没有其它额外限流功能条件下,启动过冲电压只有50 mV,负载切换时的下掉电压与过冲电压分别为519 mV和578 mV。 相似文献
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设计了一种无运放带隙基准电路,该电路采用电压自调节技术来稳定输出基准电压,并实现该带隙基准电路在较宽频率范围内的高PSRR。该基准采用无运放结构,在降低电路复杂性的同时,避免了运算放大器的失调电压对输出基准的温度系数的影响。基于0.18μm BCD工艺,在Cadence环境下仿真得到该电路在10 Hz时,PSRR为-94 dB,在1 MHz时,PSRR为-44 dB;在-40~125℃温度范围内,温度系数为4×10-6/℃;包含启动电路在内,该电路静态电流约为14μA,片上面积约为0.016 mm2。 相似文献
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通过硅改性的方法制备了SnO2/SiO2复合氧化物,经酸化后得到强酸性SnO2/SiO2(Sn-Si)催化剂;通过NH3-TPD、FTIR、吡啶吸附FTIR、Raman光谱等对Sn-Si催化剂进行了表征,将催化剂用于无溶剂体系中山梨醇直接催化脱水制异山梨醇的反应,并对反应条件进行了优化;考察了SO42-/Sn-Si催化剂的重复使用性,并分析了催化机理。实验结果表明,在SO42-/Sn-Si催化剂用量10%(w)、150℃下反应1 h的条件下,山梨醇可完全转化,异山梨醇和1,4-失水山梨醇收率分别为73.25%和18.45%,且催化剂具有良好的重复使用性。B酸和L酸协同催化有助于抑制副反应,提高异山梨醇的收率。研究结果对异山梨醇非均相催化体系的开发及产业化应用有较好的借鉴意义。 相似文献
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