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本文关注在传统建筑聚落的历史风貌保护或更新设计中,如何依靠计算机信息技术获得不依赖于人的主观判断的传统空间形态构成规则,建立数字化生成设计工具,来解答传统建筑聚落历史文化信息的精确传承和创新利用的问题。文中介绍了人工智能领域中的数据挖掘和机器学习对以上问题的解决可能,并结合案例介绍了"基于案例学习"等技术工具在城市历史地段城市更新设计中的应用成果。探索了基于知识发现的生成设计工具对传统建筑聚落历史风貌保护所起到的作用。 相似文献
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对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Pt+注入,注入后的样品在空气中快速热退火处理5min,发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善,接触电阻率从101-Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.通过研究在不同Pt+注入剂量(5×1015、1×1016、2×1014cm-2)和退火温度下接触电阻率的变化规律.在Pt+注入剂量为1×1016cm-2,300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻率,为3.55×10-3Ω·cm2.探讨了Pt+离子注入引起欧姆接触改善的内在机制. 相似文献
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在这篇论文里,我们通过在InGaN/GaN 多量子阱和n型氮化镓层中间插入一层低温生长的n型氮化镓显著提高了LED的抗静电能力。通过引入低温生长的氮化镓插入层使得LED抗击穿电压超过4000V的良品率从9.9%提升到74.7%。低温生长的氮化镓插入层作为后续生长的多量子阱的缓冲层,释放了量子阱中的应力并且改善了量子阱的界面质量。另外,我们证明了在氮气气氛下生长低温氮化镓插入层对于LED抗静电能力的改善要强于氢气气氛,同时也进一步证明低温插入层对量子阱中应力的释放有利于提高LED的抗静电能力。光电测试结果表明,在引入低温nGaN缓冲层后,LED的电学特性并没有衰退,并且LED的光输出功率提高了13.9%。 相似文献
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在蓝宝石图形衬底上生长低穿透性位错的GaN薄膜 总被引:1,自引:1,他引:0
使用MOCVD外延系统,采用3D-2D生长模式在圆锥图形蓝宝石衬底上生长GaN薄膜。研究发现3D-2D生长模式能够有效的减少GaN薄膜的穿透性位错,其中3D GaN层的生长条件是关键:低V/III比,低温和高生长压力。为了进一步减少TD,3D GaN层的厚度应该与图形衬底上的图形高度接近。当3D GaN层生长结束时,3D GaN层把图形衬底的图形围在其中,具有倾斜的侧壁和(0001)向的上表面,而图形上基本没有沉积物。在接下来的2D生长过程里,GaN沿倾斜侧面快速生长,使得侧面上的穿透性位错产生弯曲,从而减少GaN薄膜的穿透性位错。经过对3D条件的优化,GaN薄膜的穿透性位错降低到1×108cm-2,XRD测试得到的(002),(102)半宽分别达到211弧秒和219弧秒。 相似文献
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首次采用离子注入工艺研究金属电极和p-GaN的欧姆接触特性.Zn为Ⅱ族元素,可以提高p-GaN表面的栽流子浓度,对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Zn+注入.经Zn+注入后的样品在空气氛围中快速热退火处理5min,以减少离子注入带来的晶格损伤.研究发现Zn+注入改善了p-GaN/Ni/Au的欧姆接触特性,接触电阻率ρc从10-1Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.研究了不同Zn+注入剂量(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)对接触电阻率的影响,在注入剂量为1×1016cm-2、300℃下退火得到最优的接触电阻率为1.45×10-3Ω·cm2.用扫描电子显微镜观察了离子注入前后的表面形貌变化,探讨了接触电阻率改变的内在机制. 相似文献
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测量计算金属-半导体接触电阻率的方法 总被引:3,自引:0,他引:3
如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要.介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳.综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法. 相似文献
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