首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   0篇
  国内免费   4篇
金属工艺   2篇
无线电   6篇
  2019年   2篇
  2012年   2篇
  1992年   4篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 93 毫秒
1
1.
2.
弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带...   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
3.
本文报道弹性应变及结构参数对 InAs/GaAs应变层超晶格导带、价带不连续性及其子能带结构的影响.通过分析流体静应力和单轴应力对体材料带边能带位置的影响,确定了 InAs/GaAs超晶格导带及价带能量不连续性,并用包络函数法计算了该超晶格的子能带结构.结果表明:这些量不仅依赖于组成超晶格的两种材料的体性质,而且还依赖于超晶格的晶格常数,势阱、势垒宽度以及材料的应变;通过调节InAs层与 GaAs层的层厚之比,可以使 InAs/GaAs超晶格价带轻空穴处于第Ⅱ类超晶格势当中,从而实现轻空穴与电子、重空穴的空间分离.  相似文献   
4.
5.
研究了涂料的组成-耐火粉骨料、粘结剂、悬浮剂对涂料的发气量、高温强度、悬浮性等的影响,确定了涂料的合适配方、施涂工艺。试验结果表明,只要涂料发气量<7.5g,铸管就不会产生气体缺陷。  相似文献   
6.
利用热氧化法将电化学腐蚀制备的多孔GaN薄膜氧化成三维孔隙状β-Ga2O3薄膜,分析了多孔GaN薄膜与传统GaN薄膜在氧化机理上的区别,并通过材料表征证明了多孔GaN薄膜能够实现更快的氧化速率。随后将氧化生成的β-Ga2O3薄膜制备成MSM型β-Ga2O3基日盲紫外探测器,在260nm光照及10V偏压下,器件的响应度为16.9A/W,外量子效率为8×103%,探测率D*达到了2.03×1014Jones,能够满足弱光信号的探测需求。此外,器件的瞬态响应具有非常好的稳定性,相应的上升时间为0.75s/4.56s,下降时间为0.37s/3.48s。  相似文献   
7.
研究了涂料的组成——耐火粉骨料、粘结剂、悬浮剂对离心铸造涂料的发气量、悬浮性等的影响,确定了涂料的合适配方。试验结果表明,在涂料发气量≤7.5mL/g时,离心铸铁管不会出现针孔、气孔、凹陷等缺陷。  相似文献   
8.
报道了(100)半绝缘GaAs衬底和(100)掺Te GaSb衬底上分子束外延法生长的Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y材料的傅里叶变换红外光谱特性,分析解释了引起两种衬底上Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y外延材料红外光谱差异的原因.实验确定了这种材料的带隙和相应波长,与内插法计算的结果进行了比较,发现所有样品的实验值均偏大于理论值,对此进行了理论探讨.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号