高帧频64×64元蓝光响应增强CCD

为了实现对快速运动目标的跟踪成像或记录其快速变化的过程,研制了一种高帧频64×64元蓝光响应增强CCD.该器件的存储区采用漏斗形结构以提高其工作频率,光敏元采用多蓝光窗口来提高其蓝光响应,衬底采用较高的电阻率50 Ω·cm从而提高了其红光响应,采用MPP技术来降低暗电流.器件的帧频为2 000 f/s,在450～900 nm波长范围的平均量子效率为45％,动态范围达到15 000∶1,暗电流为30 pA/cm2.     

γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究

通过对不同剂量γ辐照前后CCD的暗电流、转移效率、饱和输出电压等参数变化的分析,发现辐照后器件暗电流的增加主要是辐照后栅氧化层中产生的感生界面态电荷和场氧化层中产生大量的复合中心引起;转移效率下降主要是辐照后栅氧化层中产生的界面态俘获转移电荷所致;器件辐照后暗电流的增加将降低器件的有效信号输出幅度.     

CCD频率特性的设计

对影响CCD频率的3个主要因素进行了分析,给出了计算公式或仿真模型。这3个因素是：时钟线的RC延迟及电阻发热;信号电子在CCD信道里的迁移时间;CCD片上源跟随输出放大器的频率特性。此外,CCD驱动器的频率特性也是影响CCD相机的重要因素。     

总剂量辐照效应模型在TDI-CCD器件中的应用

介绍了抗辐射加固设计使用的总剂量辐照效应模型,研究了它在时间延迟积分电荷耦合器件(TDI-CCD)电荷转移效率参数衰减中的应用,并通过不同剂量60Coγ辐照试验,验证了该模型在TDI-CCD器件抗辐射加固设计中的应用价值。     

CCD多晶硅栅条刻蚀的质量控制

依据等离子刻蚀机设备在CCD 研制中所起的关键作用,对提高刻蚀多晶硅电极的质量作了一些探讨,并给出了解决办法和结果.     

512×512元帧转移EMCCD图像传感器

采用埋沟、三层多晶硅、两次金属工艺,研制出正照EMCCD器件。器件的像元尺寸16μm×16μm。器件在-20℃下工作,读出频率10 MHz,倍增增益可达1000倍以上,探测灵敏度5×10~(-4) lx。     

X射线线阵CCD

通过在CCD表面涂敷荧光物质Gd2O2S,采用荧光转换原理,成功实现了对X射线的探测.介绍了1024位线阵X射线CCD的结构及工作原理,给出了实验结果.器件的动态范围大于3000∶1.     

国产CCD质子辐照的失效机理研究

针对国产XXX型CCD,开展了10MeV质子辐照损伤试验研究。本文介绍了质子辐照试验方法,分析了CCD在不同状态下质子辐照试验的损伤机理,确定了暗信号幅度为其敏感参数,并对暗信号的退化机理进行了分析。     

多片CCD采集系统设计与应用

将12片自主研发的L3072UD型线阵CCD进行拼接,每片CCD的垂直转移脉冲(ΦP)、水平转移脉冲(ΦH1, ΦH2)和复位脉冲(ΦR)的驱动脉冲设计成相同的波形,通过电子快门的开启时间分别控制每片CCD的积分时间,且每3片CCD的驱动脉冲共用一个驱动,实现了一种12片CCD同时工作的光谱采集系统。将该系统应用于火花光谱仪,对样品的铜含量进行检测。实验结果表明,该CCD光谱采集系统能够实现2的铜含量检测精度,检测灵敏度高、通用性强,具有一定的推广应用价值。