CCD减薄技术研究

正面照射的CCD在蓝光、紫外光区和在微光条件下的响应率低,从而作为主探测器在天文观测和空间导航等领域中的应用受到限制。通过减薄CCD采用背面照射,能大幅度提高其量子效率。研究了一种新的化学／机械减薄技术,采用这种技术可使减薄后CCD器件厚度小于20μm,其量子效率由正面入射时的40％左右提高到背面入射时的80％左右。     

128×128 PtSi高速逐行扫描CCD器件的研制

采用2 μm的设计规则,在硅工艺线上,成功设计和制作了128×128 PtSi高速逐行扫描CCD器件.介绍了器件的结构、制作工艺和参数测试结果.     

矩形光栅法测量CCD调制传递函数的研究

比较了电荷耦合器件(CCD)调制传递函数(MTF)的多种测试方法,叙述了矩形光栅法测量CCD调制传递函数的原理,编写了测试软件,成功实现了CCD MTF的测试.     

CCD图像传感器划片工艺优化

针对某型CCD图像传感器划片过程中产生的静电损伤、崩边等缺陷造成器件失效,通过优化划片工艺条件,避免了静电损伤,减少了崩边缺陷,封装的成品率由48％提高至96％.     

有限元分析在CCD制冷封装设计中的应用

采用有限元分析方法对制冷封装CCD工作在低温时光窗外表面温度过低产生露珠的现象进行了研究,分析了光窗与芯片表面(冷端)不同距离时光窗的最低温度以及内部填充不同气体时光窗的最低温度.通过有限元分析得到了光窗不产生露珠时的最优封装设计结构.     

512×512元帧转移EMCCD图像传感器

采用埋沟、三层多晶硅、两次金属工艺,研制出正照EMCCD器件。器件的像元尺寸16μm×16μm。器件在-20℃下工作,读出频率10 MHz,倍增增益可达1000倍以上,探测灵敏度5×10~(-4) lx。     

长线阵12000元CCD密封技术研究

针对长线阵12000元CCD封装密封技术进行了探讨,比较了目前封装中的几种主流封盖技术的特点,表明采用胶封技术在目前对CCD来说是一种合理选择.针对紫外胶A,进行了胶封工艺的开发.对氟油粗检漏技术进行了分析,最终采用了一种新的氦气加压常温气泡栓漏法对器件的密封效果进行考核检测.