双极运算放大器辐射损伤效应研究

本文研究了不同制造商的同型号双极运算放大器的辐射效应和室温退火行为,发现同型号产品的辐射效应有很大差异.我们分析了此类辐射效应差异的主要原因,对双极运算放大器高低剂量率下的辐射效应作了解释.计算了它们的损伤增强因子和退火因子,结果表明,同种型号运放电路的损伤增强因子间的最大差异可达约8倍.     

剂量率对PMOS剂量计辐射响应的影响

研究了不同剂量率下PMOS剂量计阈值电压的响应.在VTH偏置下,观察了剂量率对PMOS剂量计辐射响应线性度和灵敏度的影响规律及其退火特性.试验结果表明:随着剂量率降低,n值趋近于1,表现出较好的线性度,响应灵敏度也增加.分析认为,PMOS剂量计有明显的低剂量率辐射敏感增强效应(ELDRS),对其损伤机理作了进一步的讨论.     

CMOS 4000及54HC器件的总剂量辐照响应特性比较

通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验,比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐照响应特性,对其响应差异进行了较深入的机理研究,并探讨了54HC电路的抗辐射能力测试方法和评判标准.     

几种1-3-2型压电复合材料温度弯曲形变及相关参数测试研究

利用光纤光栅传感法,对压电陶瓷/618环氧树脂、压电陶瓷/9110T有机硅树脂、压电陶瓷/9110B有机硅树脂和压电陶瓷/HASUNCAST有机硅树脂四种1-3-2型压电复合材料进行实时温度弯曲形变测试,并对其相关温度稳定性电参数进行测试分析。结果表明,压电陶瓷/9110T有机硅树脂和压电陶瓷/HASUNCAST有机硅树脂压电复合材料的介电损耗极大;压电陶瓷/9110B有机硅树脂与压电陶瓷/618环氧树脂相比,其温度弯曲形变及频率常数、相对介电常数的温度变化率小,温度稳定性更高,是提高现行压电陶瓷/618环氧树脂压电复合材料高温耐受性的良好替代材料。     

屏蔽材料封装CMOS器件的电子辐照损伤

为了解决在评估抗辐射屏蔽封装材料的屏蔽效果时,应该以什么参数作为评判依据的问题,对屏蔽材料封装CMOS器件做了一些研究.通过比较有、无屏蔽材料封装CMOS器件在电子辐照下电参数的变化,分析了采用抗辐射屏蔽材料封装的CMOS器件受电子辐照的损伤机理.通过分析,指出了当前屏蔽材料封装存在的不足,以及在采用CMOS器件考察抗辐射屏蔽封装材料时应该重点考虑静态功耗电流.     

海洋环境下晶体管的现场贮存可靠性研究

介绍了我国海洋环境的特点及其对双极型晶体管特性的影响.基于典型近海仓库贮存环境,以具有代表性的、用量较大的中小功率晶体管为研究对象,具体分析了近海仓库贮存30～40年的双极型晶体管的性能退化情况和失效模式.研究经过了13个环节的筛选检测,统计并分析了晶体管失效情况,并以失效数目最多的筛选环节中失效的晶体管为例,进行了电学参数测试与开帽检查.研究结果表明,击穿电压、反向漏电流与电流增益是相对较敏感的失效参数.     

钢筋混凝土现浇楼板裂缝产生原因及对策

本文从施工的角度出发,探讨钢筋混凝土现浇楼板裂缝产生的原因以及防治措施。