扩大及改进LC—2A型离子注入机功能的综合考虑

本文根据我所红外及光电器件研制工艺中对离子注入的特殊要求,注入机的现有性能及本所技术力量和特色,对LC—2A型注入机离子源、注入能量低(几keV—几百keV)和红外表面测温、低温靶室等方面作出改进考虑和试验以期扩大和改进原有注入机功能。     

变压器试验技术33

12温升试验 12.1概述 变压器在额定频率的额定电压下带负载运行时,铁心内的磁通在硅钢片内产生磁滞损耗和涡流损耗,称之为空载损耗.流过绕组的负载电流在绕组的电阻上所产生的损耗(I2R),电流产生的漏磁通在其经过的金属件上所产生的涡流损耗,统称为负载损耗.空载损耗和负载损耗在铁心、绕组及金属结构件中将转化为热,并将热散发到油浸式变压器的油中,借助于油通过不同的循环方式再将热散到空气中.对于干式变压器,则直接将热散发到空气中,从而达到散热目的,最终达到热平衡.     

64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征

用改进的恒压微探针方法,对64×64元 InSb 凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价.测得典型64×64元 InSb 芯片的探测器平均零偏阻抗为42MΩ(90K),非均匀性为20%;平均1000K黑体响应率为2.8A/W,非均匀性为6.3%;电学串音率＜2%.讨论了性能异常芯片上存在的局部电学串音现象.     

变压器试验技术

12.6 特殊变压器试验的修正 12.6.1 分接范围超过+-5%的双绕组变压器除非有特殊规定,温升试验应在“最大电流分接“上进行,在试验第二阶段应施加试验分接上的额定电流.     

变压器试验技术(34)

12.5 稳态温升试验方法 国标GB1094.1—96规定：测量油浸式变压器的稳态温升的标准方法是短路接线的等效试验法。此法通常是将被试品被试一对绕组的低电压侧的出线端子短路,对高电压的一侧供电,供给实测总损耗,以测定变压器顶层和底部油的温升。然后供额定电流测定绕组的平均温度和油的平均温度,求得绕组对油的平均温升,即铜油温差。由铜油温差加上总损耗下油的平均温升计算得额定频率的额定电压下该绕组流过额定电流时的平均温升。     

InSb凝视红外焦平面组件研制和应用

研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像元率约 0 .5 %。其性能参数满足红外成像制导的技术要求 ,已成功进行了凝视红外成像探测系统外场试验。     

长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件

介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn结制备光敏元,通过间接倒焊技术和读出电路互联,采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏元的响应截止波长达到9.9μm,相应的RoA达到10Ωcm2,平均峰值探测率达到9.3×1010cmHz1/2 W-1,响应不均匀性为8%,有效光敏元率大干99.5%.     

碲镉汞红外焦平面器件热失配应力研究

采用有限元分析方法研究了碲镉汞红外焦平面器件在低温下由于不同热膨胀系数引起的热失配应力,提出了两种焦平面器件结构,可以有效地降低热应力,并应用于实际器件的制备,明显提高了碲镉汞焦平面器件的可靠性.