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1.
在盐度为0.15%、0.3%和0.6%条件下,考察炉渣填料组合潜流人工湿地对生活污水的处理效果。结果表明,在低盐度情况下,盐度的提升对人工湿地的影响作用不大,各个污染物指标的去除率都达到较高水平。在盐度0.6%条件下组合潜流人工湿地2级湿地对污染物的去除率各不相同,垂直潜流人工湿地对NH4+-N和COD的去除率比水平潜流人工湿地高;水平潜流人工湿地对NO3--N、TN和TP的去除率比垂直潜流人工湿地高。  相似文献   
2.
研究了NaCl改性斜发沸石对含盐污水中NH3-N和TP的吸附特性,进行了等温吸附实验、不同盐度条件下的吸附实验和动态吸附实验。等温吸附实验结果显示,盐度为1.5%、温度为25℃条件下,改性沸石对NH3-N和TP的饱和吸附量分别为0.912 mg/g和0.504 mg/g,较未改性沸石分别高出81%和66%。盐度升高会降低2种沸石对NH3-N和TP的吸附量,但在各种盐度条件下,改性沸石对NH3-N和TP的去除率均高于未改性沸石,最高可分别高出8个和6个百分点左右。动态吸附实验中,NH3-N在第102天达到吸附饱和,动态饱和吸附量为0.587 mg/g;TP在第16天达到吸附饱和,动态饱和吸附量为7.551μg/g。  相似文献   
3.
为了研究沉积时间和衬底温度对类金刚石薄膜的影响,在用脉冲激光沉积法在Al2O3衬底上制备类金刚石薄膜的实验中,保持其他实验参数不变,先取沉积时间分别为15 min和40 min来沉积薄膜;再取衬底温度分别30℃和300℃来沉积薄膜.用显微镜观察薄膜是否有起皱现象,用Raman光谱仪检测薄膜的微观结构,用原子力显微镜检测...  相似文献   
4.
秦娟娟 《中国化工》2008,(23):17-18
目前我国谷氨酸总发酵能力已接近160万吨,约占全球谷氨酸产能的75%;而日本的谷氨酸产能,即包括日本味之素株式会社在本土和海外分公司产能在内的合计只有不到60万吨;韩国的谷氨酸发酵能力在20万~25万吨,  相似文献   
5.
介绍采用松下FPO型PLC对加热炉进行PID调节实现温度控制。重点分析和说明了系统控制方案和软硬件结构的设计。实践表明采用该设计系统的稳定性、准确性高、快速性均符合要求。  相似文献   
6.
基于土豆外形凹凸不平的削皮局限性,提出了1种外包络法土豆表皮切削的新方法,在逐个仿人工切削的基础上,将一整个切削刀片分成若干等宽的小刀片,并采用弹性介质作为传动媒介,以达到土豆表皮仿形等厚切削的效果。确定出此切削方法的工作原理,阐明了该刀头整体和关键组成部分的功能实现及结构,并通过对土豆表皮切削的3维仿真及运动轨迹分析,得到了基本切削参数,以验证此加工方法及刀头设计的合理性。  相似文献   
7.
为了能在SolidWoks软件的运动仿真功能中实现凸轮图解法的设计过程,利用Excel的函数计算功能,计算出滚子推杆位移与凸轮时间之间的关系并生成相应的数据表。然后在SolidWorks软件中建立凸轮机构的运动仿真模型,利用Motion模块给推杆和凸轮分别添加直线电动机和旋转,通过运动仿真模块模拟反转法,利用结果分析中的路径跟踪功能,得到凸轮的理论轮廓曲线,用草图编辑中的偏移功能,把理论轮廓曲线向内偏移1个滚子半径的距离,得到实际轮廓曲线,拉伸得到凸轮三维模型,最后用生成凸轮模型反向通过运动仿真输出推杆位移。仿真结果表明,经过对比分析,输出的推杆位移曲线与设计得到的推杆位移曲线一致,因此通过SolidWorks和Excel相结合的方式,实现凸轮的图解法设计是可行的。设计方法可用于凸轮零件的高精度设计,为凸轮的设计提供了新的技术方法和思路。  相似文献   
8.
采用高温分离式霍普金森(High Temperature Split Hopkinson Pressure Bar)动态试验装置,研究了06Cr19Ni10奥氏体不锈钢在温度25~300℃和应变率1 000~3 000s-1下的动态力学性能.结果表明,06Cr19Ni10奥氏体不锈钢在1 000~3 000 s-1范围...  相似文献   
9.
利用Kr准分子激光器晶化非晶硅薄膜, 研究了不同的激光能量密度和脉冲次数对非晶硅薄膜晶化效果的影响.利用X 射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对晶化前后的样品的物相结构和表面形貌进行了表征和分析.实验结果表明, 在激光频率为1 Hz 的条件下, 能量密度约为180 mJ/cm2时,准分子激光退火处理实现了薄膜由非晶结构向多晶结构的转变;当大于晶化阈值180 mJ/cm2小于能量密度230 mJ/cm2时, 随着激光能量密度增大, 薄膜晶化效果越来越好;激光能量密度为230 mJ/cm2时, 晶化效果最好、晶粒尺寸最大, 约60 nm, 并且此时薄膜沿Si(111)面择优生长;脉冲次数50 次以后对晶化的影响不大.  相似文献   
10.
极紫外光刻是采用波长为13.5nm的极紫外光作为光源,实现半导体集成电路工艺22纳米以及更窄线宽节点的主要候选光刻技术。性能优越稳定的多层膜技术是构建整个极紫外光刻系统的重要技术之一。从高反射率,波长匹配,控制面形以及稳定性和寿命方面总结了极紫外光刻系统中多层膜的性能要求和最新的研究进展,叙述了制备高性能多层膜的方法和沉积设备,讨论了多层膜制备技术还存在的问题和发展的方向。  相似文献   
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