加气混凝土领域的新产品:ALC板材

蒸压轻质加气混凝土（ＡｕｔｏｃｌａｖｅｄＬｉｇｈｔｗｅｉｇｈｔ Ｃｏｎｃｒｅｔｅ）板材简称为ＡＬＣ板材，它是以硅砂、水泥、石灰等为主要原料，由经过防锈处理的钢筋增强，经过高温、高压、蒸气养护而成的多气孔混凝土板材，是一种性能优越的新型轻质建筑材料。随着经济发展，人们对建筑材料的要求越来越高，南京旭建公司 ２０世纪 ９０年代中期引进日本和瑞典制造加气混凝土的设备和技术，使ＡＬＣ产品的施工、技术工艺日趋完善，深得用户的好评。其“凌佳”系列产品特性： １轻质性。由于是加气制品，其绝干比重仅为０.５，是混凝…     

数模混合高速集成电路封装基板协同设计与验证

介绍了数模混合高速集成电路(IC)封装的特性以及该类封装协同设计的一般分析方法.合理有效的基板设计是实现可靠封装的重要保障,基于物理互连设计与电设计协同开展的思路,采用Cadence APD工具以及三维电磁场仿真工具实现了特定数模混合高速集成电路(一款探测器读出电路)的封装设计与仿真论证,芯片封装后组装测试,探测器系统性能良好,封装设计达到预期目标.封装电仿真主要包含:封装信号传输通道S参数提取、电源/地网络评估,探测器读出芯片封装体互连通道设计能满足信号带宽为350 MHz(或者信号上升时间大于1 ns)的高速信号的传输.封装基板布线设计与基板电设计协同分析是提高数模混合高速集成电路封装设计效率的有效途径.     

基于磁控溅射制备金属纳米颗粒的低温键合技术研究

三维集成是后摩尔时代异质集成的关键技术路线之一,片间互连是其关键技术.传统的金属热压键合技术由于存在键合温度高和键合时间长的问题,不再适用于三维集成技术的发展需求,新型的具有低温、短时和高可靠性特点的片间互连技术受到广泛关注.提出一种基于磁控溅射制备金属纳米颗粒的低温键合方法.首先采用磁控溅射方法分别进行金属Ag和Au...     

干冰表面处理技术在系统级封装的应用

目的电子元器件表面材料的质量是影响电磁屏蔽镀层和封装材料表面结合力的主要因素,封装元件在切割分离过程中侧壁表面粘附的Cu杂质对屏蔽膜的质量有不利影响。为了提高电子封装体的表面质量,提出一种可应用于高精密电子加工领域的新型表面技术——干冰处理技术。方法通过实验设计深入研究干冰技术的关键参量(喷射压力、喷射角度和清洗速度)对电子材料表面杂质去除的影响规律,分析了干冰处理封装材料表面的作用机理,对比了干冰作用与传统去离子水处理所获得的电磁屏蔽膜质量。结果作用机理为干冰的物理冲击和微爆破产生的冲击力将粘附到侧壁上的杂质剥离而去除,实验得到最优作用条件,即在喷射压力为0.2~0.4 MPa,作用速度为40~50 mm/s,喷射角度为40?~70?时,封装元件PCB侧壁表面质量明显改善,表面PCB区域铜杂质的含量由30%降至2%,阻焊层破损率可控,且有效地提高了电磁屏蔽镀层结合力的等级。结论干冰技术工艺操作简单,作业效率高,且在最优工艺参数下无其他不良产生,可作为未来电子元器件制造领域表面处理的技术支撑。     

第64届国际电子元件与技术会议参会报道

正第64届国际电子元件与技术会议(Electronic Components and Technology Conference,ECTC)是世界电子封装技术领域四大品牌会议之一,2014年5月27日至30日在美国佛罗里达州奥兰多举行。5月27日的培训课共开设了18个课程,在数量上是ECTC历史上的新高;据会议组织方统计,参加培训的人数共417人,与2013年ECTC培训课程参与人数(333人)相比也有大幅提升。     

用于圆片级封装的金凸点研制

介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究.凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺.同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究.对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平.     

微电子封装中等离子体清洗及其应用

随着微电子工艺的发展,湿法清洗越来越局限,而干法清洗能够避免湿法清洗带来的环境污染,同时生产率也大大提高.等离子体清洗在干法清洗中优势明显,本文主要介绍了等离子体清洗的机理、类型、工艺特点以及在微电子封装工艺中的应用.     

系统芯片（SOC）与系统级封装（SIP）

系统芯片和系统级封装是目前微电子技术高速发展的两种技术路线，本文讨论了系统的基本概念，针对两种技术路线的基本特点进行了介绍和分析，从工艺兼容性、已知好芯片问题、封装、市场及设计的角度比较了两者的优缺点。     

MEMS圆片级封装用Cu-Sn低温键合机理与工艺研究

研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用.基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验.通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在250℃的低温条件下生成了熔点为415℃的金属间化合物,获得了良好的键合层.得到的键合样品剪切力强度值达到了GJB548B-2005标准的要求.研究表明,Cu-Sn等温凝固键合技术具有实际应用的潜力.     

一种基于Ag-Sn等温凝固的圆片键合技术

研究了用Ag-Sn作为键合中间层的圆片健合。相对于成熟的Au-Sn键合系统(典型键合温度是280℃),该系统可以提供更低成本、更高键合后分离(De-Bonding)温度的圆片级键合方案。使用直径为100mm硅片,盖板硅片上溅射多层金属Ti/Ni/Sn/Au,利用Lift-off工艺来形成图形。基板硅片上溅射Ti/Ni/Au/Ag。硅片制备好后,将盖板和基板叠放在一起送入键合机进行键合。键合过程在N2气氛中进行,键合过程中不需要使用助焊剂。研究了不同键合参数,如键合压力、温度等对键合结果的影响。剪切强度测试表明样品的剪切强度平均在55.17MPa。TMA测试表明键合后分离温度可以控制在500℃左右。He泄漏测试证明封接的气密性极好。