可印制碳纳米管冷阴极中碳纳米管含量的优化

采用丝网印刷法制备了不同碳纳米管含量的冷阴极.研究了不同碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性与其微结构和电学特性的关系.实验发现,碳纳米管冷阴极的导电性和场发射特性受碳纳米管含量影响,具有适当的碳纳米管含量的冷阴极的场发射特性最佳.     

晶体硅薄膜电池制备技术及研究现状

晶体硅薄膜太阳电池近些年来得到广泛的研究和初步的商业化探索。根据所采用的晶体硅薄膜沉积工艺中温度范围的不同，晶体硅薄膜电池研究可分为高温路线和低温路线两个不同发展方向。本文分别从这两个方向综述了目前国外晶体硅薄膜电池制备技术的最新进展，最新实验室研究结果。报导了晶体硅薄膜电池商业化进展状况，指出了晶体硅薄膜电池实现产业化必须解决的问题。     

薄膜型冷阴极电子源发光器件延迟特性的分析

利用金刚石及其相关薄膜制作冷阴极电子源,以及这类电子源在平板显示器件上应用的研究,是真空电子领域中一个重要的研究课题.本文对已研制成功的薄膜型冷阴极电子源发光器件进行了响应延迟特性的研究.同时分析导致器件产生延迟响应的因素,提出相应的电路模型.由此模型得到的理论结果与实验结果相吻合.     

氮化铝纳米锥有序阵列的低温制备及场发射特性研究

由于氯化铝纳米锥拥有低电子亲和势和高长径比,因而可以在低电场下实现场发射.制备成纳米锥阵列后可能在低电场下使电子逸出表面而实现场电子发射,我们通过热蒸发三氯化铝粉末的方法,在600℃下在硅片和ITO玻璃上沉积生长出大面积纳米锥阵列.纳米锥的平均长度为500 nm.顶端直径为10 nm,我们获得的氮化铝纳米锥为六方晶体结构,生长方向为[001].场发射测试的结果表明,AlN纳米锥的开启电场(电流密度为10μA/cm21约为5 V/μ m.阈值电场(电流密度为lmA/cm21,约为9 V/μ m,最高电流密度可达3 mA/cm2,这表明其在未来的冷阴极材料中有着很大的应用前景.     

ZnO纳米多晶颗粒激射模式的特性研究

利用飞秒脉冲激光激发,研究了均匀沉淀法制备获得的ZnO纳米多晶颗粒的室温紫外受激发射.在高密度激发功率下,其发射光谱表现为宽的发射背景上一系列的锐窄结构,且两相邻尖锐峰间距基本相同,即激射模式具有等间距性质.改变激光激发强度,发射谱带红移,但激射模式间距不随激发强度变化而变化;进一步比较三组典型粒径的ZnO纳米多晶颗粒样品发射光谱的激射模式,发现模式间距也相同,即激射模式间距与粒径也没有关系,不同于传统的谐振腔理论.     

低成本衬底上快热CVD法制备晶体硅薄膜电池

以RTCVD方法在低成本衬底--颗粒硅带(SSP)上制备了外延晶体硅薄膜电池.在20×20mm2上得到的最高转换效率为7.4%,开路电压488mV,短路电流21.91mA/cm2,填充因子0.697.外延晶体硅薄膜电池暗特性表明晶体硅薄膜电池具有较高的饱和暗电流I02和片并联阻Rp.外部量子效率(EQE)和内部量子效率(IQE)表明载流子收集率在长波方向比较低,量子效率最大值的波长范围大约在500nm.     

外延晶体硅薄膜电池的EBIC与SR-LBIC特性分析

电子束诱导电流(EBICElectron Beam Induced Current)是研究晶体缺陷(如晶界、位错、沉淀等)复合特性的一种有力工具.该文对以颗粒硅带为衬底的晶体硅薄膜电池表面及电池截面的晶体缺陷、特别是对晶界的复合行为进行了研究.电池表面EBIC照片表明复合中心位于晶界处,在小颗粒集中区域复合越强.截面的EBIC结果表明在颗粒晶界处分别有着强弱复合,与晶界处强的复合行为相比,颗粒内部没有或仅有比较弱的复合行为发生.靠近电池表面处的颗粒晶界和颗粒内部复合行为由于H钝化得到减弱,少数载流子扩散长度随深度的增加而降低.光谱决定的光束诱导电流(SR-LBIC)表明扩散长度在整个电池表面是不均匀的,最大扩散长度与外延层厚度相当.     

SmB6单晶纳米结构的可控制备及场发射特性研究

作为一种典型的近藤拓扑绝缘体, 近年来六硼化钐(SmB₆)材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注。与块体材料相比, SmB₆纳米材料由于具有更大的比表面积而拥有更为丰富的表面电子态, 因此被认为是一个研究表面量子效应和物理机制的理想平台。由于场发射电流主要来源于纳米材料的表面态, 所以研究SmB₆纳米材料的场发射特性可以为研究其表面量子特性提供有益的参考。本研究利用化学气相沉积法, 通过控制实验条件在硅衬底上分别实现了SmB₆纳米带和纳米线薄膜的生长。研究结果表明: 所制备的SmB₆纳米线和纳米带分别为沿着[100]和[110]方向生长的立方单晶结构。场发射特性的测试结果发现: SmB₆纳米带薄膜的开启电场为3.24 V/μm, 最大电流密度达到了466.16 μA/cm ², 其场发射性能要优于纳米线薄膜。同时考虑到SmB₆拥有很低的电子亲和势、高电导率和丰富的表面电子态, 所以若可以进一步提高其场发射特性, 那么很可能在冷阴极电子源领域有潜在应用。     

Understanding field emission from carbon nanotubes

Carbon nanotubes have beeninvestigated as a promising cold cathode field emission material and are i-dentified as one of nanomaterials that will find applications in near future . An intensive investigation hasbeen carried out to characterize the properties andthe processes of field emissionfromcarbon nanotubes andalso tofindtheir applications . However ,the following key questions remainto be addressed:(i) the mech-anismresponsible for lowfield emission,(ii) the mechanismresponsible for li mi…     

氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究

冷阴极在X射线源中有重要应用。本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列。制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比。场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良好的场发射特性,开启电场为4.9V/μm,发射均匀性好,有望应用在平板X射线源中。