硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性

采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜.测量了Ag/TiOx/Si/Ag电容器的I-V和C-V特性.结果表明,氧化钛薄膜的厚度为150～250nm,其介电常数是40～87.随着氧化时间的缩短,氧化钛薄膜中的固定电荷减少,漏电特性得到改善.     

（001）SrTi03衬底上的Ba0．7 Sr0．3 Ti03／YBa2Cu3O7—δ外延生长薄膜的界面结构研究

本文利用透射电子显微学和高分辨电子显微学研究了SrTiO3衬底上的Ba0.7 Sr0.3 TiO3／YBa2 Cu3 O7-δ(BST／YBCO)外延薄膜的界面结构，结果表明在BSt/YBCO界面形成了阶梯(step-terrace)结构，同时BST外延膜生长良好。在YBCO薄膜表面形成梯形结构后，也可能按照台阶生长(step-flow)模式生长出完好的BST薄膜。     

硅上后热氧化钛膜制备氧化钛及其电学特性

采用在硅上磁控溅射金属钛膜再热氧化的工艺制备了多晶氧化钛薄膜.测量了Ag/TiOx/Si/Ag电容器的I-V和C-V特性.结果表明,氧化钛薄膜的厚度为150～250nm,其介电常数是40～87.随着氧化时间的缩短,氧化钛薄膜中的固定电荷减少,漏电特性得到改善.     

(001)SrTiO3衬底上的Ba0.7 Sr0.3 TiO3/YBa2 Cu3 O7-δ外延生长薄膜的界面结构研究

本文利用透射电子显微学和高分辨电子显微学研究了SrTiO3衬底上的Bao7Sr0.3TiO3/YBa2Cu3O7-δ(BST/YBCO)外延薄膜的界面结构.结果表明在BST/YBCO界面形成了阶梯(step-terrace)结构,同时BST外延膜生长良好.在YBCO薄膜表面形成梯形结构后,也可能按照台阶生长(step-flow)模型生长出完好的BST薄膜.     

一种新的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)薄膜三端器件

设计研制了一种新的YBCO薄膜三端器件,该器件利用半导体硅薄膜与YBCO薄膜相接触,从而发现了微弱信号下的开关和放大效应.器件能在液氮或室温工作.器件制造工艺简单.